ミリ波向け高耐圧・高f_<max> GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

概要

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GaN高移動度トランジスタ(GaN-HEMT)は、基地局間無線通信用高出力デバイスとして利用可能な高いパフォーマンスを示しており、現在、多くの研究機関でさらなる高周波特性の向上を目指し開発が進められている。高い信頼性を有するミリ波向け高出力増幅器を開発するためには、高い最大発振周波数(f_<max>)と高いゲート耐圧(BV_<gd>)を同時に実現する必要がある。これまでの研究は、GaNの高いドリフト速度を検証するために、主に電流利得遮断周波数(f_T)に注目していた。しかしながら、増幅器において高い効率を実現するためには、f_<max>,f_Tのみならず、高いゲート(ショットキーゲート)耐圧を同時に実現しなくてはならない。これまでの研究報告では、優れた高周波特性(f_<max>, f_T)と100Vを超えるゲート耐圧(BV_<gd>)を両立出来るデバイスの報告はなかった。我々は、従来のGaN-HEMTにY型ゲートおよびGaN表面層(GaNキャップ)を採用することで、f_<max> 180GHzおよび100V以上のゲート耐圧(BV_<gd>)を実現したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-01-10