吉川 俊英 | 富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

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概要

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• 富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部の論文著者

関連著者

• 吉川 俊英

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 吉川 俊英

  富士通

• 今西 健治

  富士通研究所

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 今西 健治

  富士通

• 今西 健治

  富士通研

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 金村 雅仁

  富士通株式会社

• 牧山 剛三

  富士通

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通株式会社

• 今西 健治

  富士通株式会社

• 原 直紀

  株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 増田 哲

  富士通研究所

• 増田 哲

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  富士通

• 金村 雅仁

  富士通(株)

• 牧山 剛三

  富士通研究所

• 常信 和清

  富士通

• 中舍 安宏

  株式会社富士通研究所

• 原 直紀

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

• 岡本 直哉

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通株式会社

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 二川 佳央

  国士舘大学大学院工学研究科

• 黒木 太司

  呉高専

• 上田 哲也

  京都工繊大

• 坂上 岩太

  富山大

• 篠田 博史

  日立製作所

• 田島 賢一

  三菱電機

• 中川 匡夫

  NTT

• 古田 敬幸

  NTTドコモ

• 守永 光利

  日立製作所

• 坂上 岩太

  富山大学工学部

• 上田 哲也

  京都工繊大 大学院工芸科学研究科

• 中川 匡夫

  Ntt 未来ねっと研

• 篠田 博史

  株式会社日立製作所中央研究所

• 上田 哲也

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 二川 佳央

  国士舘大 理工

• 守永 光利

  株式会社日立製作所中央研究所

• 坂上 岩太

  富山大学工学部電子電気システム工学科

• 上田 哲也

  京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学部門

• 重松 寿生

  (株)富士通研究所

• 高橋 剛

  富士通株式会社

• 田島 賢一

  三菱電機株式会社

• 重松 寿生

  富士通研究所

• 山田 敦史

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通株式会社

• 山田 敦史

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 増田 哲

  富士通

• 上田 哲也

  京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科

• 二川 佳央

  国士舘大学

• 二川 佳央

  国士舘大学大学院応用システム工学科

• 二川 佳央

  国士舘大学工学部 電気電子工学科

• 上田 哲也

  Department Of Molecular Virology Immunology And Medical Genetics And Comprehensive Cancer Center Ohi

• 上田 哲也

  東京大学胃食道外科

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著作論文

• 2.高出力ミリ波デバイスとその応用(最新のミリ波技術の動向)
• 2007年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS 2007)出席報告
• 2007年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS 2007)出席報告(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
• W帯GaN MMIC送受信増幅器
• GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
• CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT

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