吉川 俊英 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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吉川 俊英
富士通研究所
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吉川 俊英
富士通
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原 直紀
富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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今西 健治
富士通研
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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増田 哲
富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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渡部 慶二
富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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牧山 剛三
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通株式会社
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今西 健治
富士通株式会社
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常信 和清
富士通研究所
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西森 理人
富士通研究所
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山田 敦史
富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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金村 雅仁
富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
富士通株式会社
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高橋 剛
富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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山田 全男
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
富士通株式会社
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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尾崎 史朗
富士通研究所
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田中 均
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通(株)
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渡邊 祐
富士通研究所
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滝川 正彦
富士通研究所
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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黒木 太司
呉工業高専
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社
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西川 健二郎
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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森 一富
三菱電機
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Nishikawa Kenjiro
Nippon Telegraph and Telephone corporation
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内田 浩光
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中川 匡夫
NTT
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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渡邊 祐
(株)富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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山田 敦史
富士通株式会社
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原 直紀
富士通
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多木 俊裕
富士通(株)
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今西 健治
富士通(株)
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牧山 剛三
富士通(株)
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常信 和清
富士通(株)
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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松毛 和久
東芝
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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中川 匡夫
Ntt 未来ねっと研
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吉川 俊秀
富士通(株)
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山田 敦史
富士通(株)
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増田 哲
富士通(株)
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重松 寿生
富士通(株)
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原 直紀
富士通(株)
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常信 和博
富士通研究所
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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舘野 泰範
富士通カンタムデバイス
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加藤 眞一
富士通カンタムデバイス
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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木村 徳治
富士通研究所
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佐野 公一
Ntt
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渡辺 祐
富士通研
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渡邊 祐
富士通(株)
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常信 和清
富士通
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赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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舘野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
-
安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
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増田 哲
富士通
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加藤 眞一
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通研究所
-
西川 健二郎
Ntt
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内田 浩光
三菱電機
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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岩井 大介
富士通研
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今田 忠紘
富士通研究所
-
美濃浦 優一
富士通研究所
-
今田 忠紘
株式会社富士通研究所
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 先端GaN-HEMTデバイス技術 (特集 研究開発最前線)
- モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 2004年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
- 31a-P11-26 高耐圧InGaPチャネルFET
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討