横川 茂 | 富士通カンタムデバイス
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概要
関連著者
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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常信 和清
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
著作論文
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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