木村 徳治 | (株)富士通研究所
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概要
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
著作論文
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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