長原 正樹 | 富士通カンタムデバイス
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概要
関連著者
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
株式会社富士通研究所
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常信 和清
株式会社富士通研究所
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滝川 正彦
株式会社富士通研究所
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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吉川 俊英
富士通
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舘野 泰範
富士通カンタムデバイス
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高橋 英徳
富士通カンタムデバイス株式会社
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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渡邊 祐
(株)富士通研究所
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渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
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渡邊 祐
株式会社富士通研究所
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五十嵐 武士
富士通カンタムデバイス株式会社
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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深谷 潤
富士通カンタムデバイス
-
横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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木村 徳治
富士通研究所
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渡辺 祐
富士通研
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渡邊 祐
富士通(株)
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加藤 眞一
(株)富士通研究所
-
深谷 潤
富士通カンタムデバイス株式会社
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通
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木村 徳治
(株)富士通研究所
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館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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吉川 俊英
富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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常信 和清
富士通研究所
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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加藤 眞一
富士通カンタムデバイス
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中舎 安宏
富士通カンタムデバイス株式会社
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常信 和清
富士通カンタムデバイス株式会社
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滝川 正彦
富士通カンタムデバイス株式会社
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舘野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
著作論文
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- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
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