SC-6-7 Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-08-20

著者

• 吉川 俊英

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通

• 長原 正樹

  富士通カンタムデバイス

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