高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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高出力AlGaN/GaN HEMT用の新規オーミック電極を開発した.本電極はAlを含まない系において構成されており、極めて平坦な表面モフォロジを有することを特徴とする.またMoの接触抵抗低減効果により、HEMT構造に対する接触抵抗率(p_c)は9.1×10^<-6>Ωcm^2と従来のTi/Al系電極と同等の良好な特性が得られた.さらに本電極を用いたAlGaN/GaN HEMTにおいて210mS/mmという充分な相互コンダクタンス(g_m)を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
高橋 剛
富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
常信 和清
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通研究所
-
金村 雅仁
富士通研究所
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