金村 雅仁 | 富士通研究所

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概要

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関連著者

• 吉川 俊英

  富士通

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 常信 和清

  富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通研究所

• 金村 雅仁

  富士通研究所

• 高橋 剛

  富士通株式会社

• 高橋 剛

  富士通研究所

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 岡本 直哉

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 今西 健治

  富士通

• 岡本 直哉

  富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研

• 渡部 慶二

  富士通研究所

• 今田 忠紘

  富士通研究所

• 美濃浦 優一

  富士通研究所

• 今田 忠紘

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用

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