金村 雅仁 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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今西 健治
富士通研究所
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研
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常信 和清
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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常信 和清
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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吉川 俊英
富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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金村 雅仁
富士通株式会社
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
-
増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通株式会社
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今西 健治
富士通株式会社
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通(株)
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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尾崎 史朗
富士通研究所
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原 直紀
富士通
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多木 俊裕
富士通(株)
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今西 健治
富士通(株)
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牧山 剛三
富士通(株)
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常信 和清
富士通(株)
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原 直紀
富士通(株)
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常信 和清
富士通
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今田 忠紘
株式会社富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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山田 全男
(株)富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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五十嵐 勉
富士通カンタムデバイス(株)
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通(株)
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吉川 俊英
富士通(株)
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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中舎 安宏
富士通株式会社
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牧山 剛三
富士通研究所
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常信 和清
富士通研究所
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田中 正公
富士通カンタムデバイス(株)
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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多木 俊裕
富士通研究所
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岡本 直哉
株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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岩井 大介
富士通研
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宮島 豊生
株式会社富士通研究所
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吉川 俊英
株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
富士通株式会社
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高橋 剛
富士通研究所
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山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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久保 徳郎
(株)富士通研究所
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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山田 敦史
富士通株式会社
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吉川 俊秀
富士通(株)
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山田 敦史
富士通(株)
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増田 哲
富士通(株)
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重松 寿生
富士通(株)
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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岡本 直哉
富士通研究所
-
渡部 慶二
富士通研究所
-
今田 忠紘
富士通研究所
-
美濃浦 優一
富士通研究所
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 先端GaN-HEMTデバイス技術 (特集 研究開発最前線)
- GaN系パワー素子を開発,電気特性を高めコストを低減
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
- 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- 原子層堆積Al?O?を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 原子層堆積Al?O?を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (電子デバイス)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)