原子層堆積Al?O?を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (電子デバイス)

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概要

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• 2012-11-29

著者

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

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