ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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概要

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• 2011-11-17

著者

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

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