InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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0.13μm InP系HEMT技術を用いて, 40Gbit/s以上で動作可能なデジタルICを開発した.新規開発したマルチフェーズクロック技術により、50Gbit/s動作のフルレート4:1マルチプレクサ(MUX)において消費電力0.45Wを実現。またクロックによるリタイミング機能を持つNRZ-RZ符号変換回路を開発し、その50Gbit/s動作にも成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-11
著者
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
川野 陽一
名古屋大学工学研究科
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
川野 陽一
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
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