川野 陽一 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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川野 陽一
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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川野 陽一
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
富士通株式会社
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
富士通株式会社
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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原 直紀
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社
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原 直紀
富士通研究所
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澤田 憲
(株)富士通研究所
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佐藤 優
富士通株式会社
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
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佐藤 優
富士通研究所
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Sawada K.
(株)富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
著作論文
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)