鈴木 俊秀 | (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
川野 陽一
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
川野 陽一
名古屋大学工学研究科
-
廣瀬 達哉
富士通株式会社
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
澤田 憲
(株)富士通研究所
-
澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
今西 健治
富士通研
-
佐藤 優
株式会社富士通研究所
-
佐藤 優
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通研究所
-
井原 毅
(株)富士通研究所
-
濱野 宏
富士通研究所
-
大西 裕明
(株)富士通研究所
-
濱野 宏
(株)富士通研究所
-
佐藤 優
富士通株式会社
-
小野寺 裕幸
(株)富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
加納 英樹
株式会社富士通研究所
-
鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
-
大西 裕明
富士通研究所
-
西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
-
SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
加納 英樹
(株)富士通研究所
-
佐藤 優
富士通研究所
-
Sawada K.
(株)富士通研究所
-
佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
著作論文
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAs HBTを用いた10Gb/s光通信用ICの開発
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)