常信 和清 | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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吉川 俊英
富士通
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常信 和清
富士通株式会社
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研
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今西 健治
富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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牧山 剛三
富士通
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吉川 俊英
富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
-
増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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常信 和清
富士通研究所
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吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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金村 雅仁
富士通株式会社
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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岩井 大介
富士通研
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金村 雅仁
富士通(株)
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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牧山 剛三
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通株式会社
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今西 健治
富士通株式会社
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通(株)
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今西 健治
富士通(株)
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牧山 剛三
富士通(株)
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常信 和清
富士通(株)
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宮下 工
(株)富士通研究所
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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小原 史朗
(株)富士通研究所
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山田 浩
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
株式会社富士通研究所
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常信 和清
株式会社富士通研究所
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滝川 正彦
株式会社富士通研究所
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加藤 眞一
(株)富士通研究所
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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渡邊 祐
(株)富士通研究所
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渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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原 直紀
富士通
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岡本 直哉
富士通(株)
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吉川 俊英
富士通(株)
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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川野 陽一
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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中舎 安宏
富士通株式会社
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原 直紀
富士通(株)
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岩井 大介
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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舘野 泰範
富士通カンタムデバイス
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佐藤 優
富士通株式会社
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渡辺 祐
富士通研
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宮下 工
富士通研究所(株)
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渡邊 祐
富士通(株)
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常信 和清
富士通
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安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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佐藤 優
富士通研究所
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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高橋 剛
富士通株式会社
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高橋 剛
富士通研究所
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高橋 英徳
富士通カンタムデバイス株式会社
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山田 全男
(株)富士通研究所
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渡邊 祐
株式会社富士通研究所
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五十嵐 武士
富士通カンタムデバイス株式会社
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五十嵐 勉
富士通カンタムデバイス(株)
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伊藤 秀和
富士通カンタムデバイス
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深谷 潤
富士通カンタムデバイス
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牧山 剛三
富士通研究所
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田中 正公
富士通カンタムデバイス(株)
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木村 徳治
富士通研究所
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山口 泰弘
(株)富士通研究所
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久保 徳郎
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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宮澤 直行
富士通カンタムデバイス
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小原 史朗
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通研究所
-
尾崎 史朗
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通研究所
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深谷 潤
富士通カンタムデバイス株式会社
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藤井 俊夫
富士通研究所
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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佐藤 優
東海大 工
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木村 徳治
(株)富士通研究所
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大西 裕明
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通研究所
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川野 陽一
富士通研究所
-
大西 裕明
富士通研究所
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藤井 俊夫
(株)富士通研究所
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舘野 泰範
(株)富士通
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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田中 均
富士通研究所
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス(株)
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小野 克二
(株)富士通研究所
-
小野 克二
株式会社 富士通研究所
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山田 敦史
富士通株式会社
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渡邊 祐
富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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滝川 正彦
富士通研究所
-
小林 一彦
富士通研究所株式会社
-
吉川 俊秀
富士通(株)
-
山田 敦史
富士通(株)
-
増田 哲
富士通(株)
-
重松 寿生
富士通(株)
-
加藤 眞一
富士通カンタムデバイス
-
川野 陽一
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通カンタムデバイス株式会社
-
常信 和清
富士通カンタムデバイス株式会社
-
滝川 正彦
富士通カンタムデバイス株式会社
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
-
舘野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
-
深谷 順
(株)富士通
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
- InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
- 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-7-5 W-CDMA携帯端末用HBTパワーアンプMMIC
- W-CDMA 0.2 cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを使用したW-CDMA基地局用高出力増幅器 (特集:研究開発最前線) -- (ユビキタス社会のネットワークを支える技術)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaAS/GaAsHBTにおける低電圧動作のためのコレクタ構造の検討
- 低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT
- 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)