安達 信雄 | ユーディナデバイス株式会社
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概要
関連著者
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安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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吉川 俊英
富士通
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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五十嵐 勉
富士通カンタムデバイス(株)
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田中 正公
富士通カンタムデバイス(株)
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館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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佐野 征吾
ユーディナデバイス株式会社
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水野 慎也
ユーディナデバイス株式会社
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二階堂 淳一朗
ユーディナデバイス株式会社
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舘野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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川野 明弘
ユーディナデバイス株式会社
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水野 慎也
住友電気工業株式会社
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佐野 征吾
住友電気工業株式会社
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川野 明弘
住友電工デバイス・イノベーション
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佐野 博昭
ユーディナデバイス株式会社
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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吉川 俊英
富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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常信 和清
富士通研究所
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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舘野 泰範
富士通カンタムデバイス
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加藤 眞一
富士通カンタムデバイス
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木村 徳治
富士通研究所
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加藤 眞一
(株)富士通研究所
著作論文
- 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
- C-10-13 AlGaN/GaN HEMTを用いたL帯広帯域パワーアンプモジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-18 AlGaN/GaN HEMTの高温動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)