高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
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概要
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- 2003-03-06
著者
-
横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
-
山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
-
吉川 俊英
富士通
-
加藤 真一
富士通カンタムデバイス
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
常信 和清
富士通研究所
-
長原 正樹
富士通カンタムデバイス
-
安達 信雄
富士通カンタムデバイス
-
舘野 泰範
富士通カンタムデバイス
-
加藤 眞一
富士通カンタムデバイス
-
横山 満徳
富士通カンタムデバイス
-
木村 徳治
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
舘野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
-
安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
-
加藤 眞一
(株)富士通研究所
-
横川 茂
富士通カンタムデバイス
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