導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を低コストである導電性n-SiC基板上に作製した。寄生成分の影響を抑制するためにAlNバッファ層を基板とHEMT構造のあいだに導入した。作製したGaN HEMT増幅器(1チップ)の特性としてドレイン電圧60V、周波数2.14GHzで出力101W、利得15.5dB、効率50%が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-11
著者
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