低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Lバンドパワー増幅器用の低電圧動作InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)について述べる。InGaP/GaAs HBTのエピはMOCVDにより成長した。試作したパワーHBTは2μm × 20μm × 64フィンガーのエミッタ面積を持ち、コレクタバイアス3.5V、AB級動作時に、周波数1.5GHzにおいて、出力電力Poutとして34.3 dBm、電力付加効率ηaddは57.7%を示した。また 2.5V動作時には出力電力は31.7dBmであった。コレクタバイアス電圧が3.5V、Poutが31.4dBmでPersonal Digital Cellular (PDC)規格に従い隣接チャネル漏洩を測定し, -49dBcを得た。この時ηaddは50.3%、パワーゲインは9.95dBてあった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-17
著者
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
-
岩井 大介
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
小原 史朗
(株)富士通研究所
-
山田 浩
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
(株)富士通研究所
-
小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
岩井 大介
富士通研
関連論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御
- C-2-43 カーボンナノチューブを用いた微細インダクタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 19pRA-9 カーボンナノチューブ熱輸送 : デバイスの放熱応用(企画講演,ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
- InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
- 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
- InGaP/GaAsヘテロ接合を用いた電子デバイス
- MOVPE成長V族切換界面(InGaP/(In) GaAs)の特性制御
- MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- HBTを用いたW-CDMA移動機用電力増幅器の高効率化に関する一検討
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- カーボンナノチューブの放熱応用 (特集 世界で活躍する日本の材料技術)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-7-5 W-CDMA携帯端末用HBTパワーアンプMMIC
- W-CDMA 0.2 cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- InGaAs系へテロ接合バイポーラトランジスタのパワー素子への応用
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- 第23回ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 非線形HEMTモデルの検討
- InP HEMTを用いた超広帯域プリアンプIC
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを使用したW-CDMA基地局用高出力増幅器 (特集:研究開発最前線) -- (ユビキタス社会のネットワークを支える技術)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaAS/GaAsHBTにおける低電圧動作のためのコレクタ構造の検討
- 低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT
- 車載映像システムへの半導体活用 : 車載映像ネットワークとリアルタイム車両全周囲ビューシステム
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- C-10-16 InP-HEMTを用いた400Gbit/s動作 D-FF&MUX回路
- 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
- 無線通信基地局向け高出力増幅器へのシリコンマイクロチャネル冷却技術の応用(電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用