共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化
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概要
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共鳴トンネルダイオード(RTD)とHEMTのエピタキシャル成長技術における縦積型モノリシック集積技術を検討し、RTD-HEMT SRAMセルを試作した。その結果、RTDの特性として室温でピーク対バレイ電流比5.1、パーク電流密度220A,cm^2が、同一ウェハ上のゲート長1μm HEMTの特性として相互コンダクタンス430mS/mmがそれぞれ得られた。SRAMセルは、縦積構造のため1トランジスタ分に収まり、電源電圧0.6〜1.1Vの範囲で論理振幅約0.5Vの双安定性を確認すると共に消費電力3μW(電源電圧1V)を得た。これにより、メガビット規模のSRAMを化合物半導体デバイスで実現する見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-23
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
-
渡邊 祐
富士通研究所
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
滝川 正彦
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
渡辺 祐
富士通研
-
渡邊 祐
富士通(株)
-
今西 健治
富士通研
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