衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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概要
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衝突イオン化を抑制することで、InP HEMTの信頼性を改善することに成功した。用いた構造は、格子整合InGaAs/InAlGaAs複合チャネル構造とダブルドープ構造である。複合チャネル構造では、高電圧下で電子がInGaAsからInAlGaAsに移動するため衝突イオン化が起こりにくくなる。ダブルドープ構造では、チャネルのbuilt-in電界が小さいため、ドレインバイアス印加時の電界も小さくなり、衝突イオン化が抑制される。ドレイン電圧2V、雰囲気温度175℃で通電試験を行った結果、両構造において信頼性の改善が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
今西 健治
富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
岡本 直哉
株式会社富士通研究所
-
今西 健治
株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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