衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(<特集>化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
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概要
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伝送容量の拡大に対応するための超高速トランジスタとして有望なInP HEMTの信頼性を検討し,衝突イオン化を抑制可能なInP HEMT構造により,信頼性の改善に成功した.用いた構造は,格子整合InGaAs/InAlGaAs複合チャネル構造とダブルドープ構造である.複合チャネル構造では,高電圧下で電子がInGaAsからInAlGaAsに移動するため衝突イオン化が起こりにくくなる.ダブルドープ構造では,built-in電界が小さく電子がチャネル層内に広く分布するため,電界集中が緩和され衝突イオン化が抑制される.ドレイン電圧2V,雰囲気温度175℃で通電試験を行った結果,両構造において信頼性の改善が確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
今西 健治
富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通
-
今西 健治
富士通
-
今西 健治
富士通研
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