超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2008-06-06

著者

• 高橋 剛

  富士通株式会社

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  株式会社富士通研究所

関連論文

• 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
• GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• C-10-19 寄生容量低減によるミリ波用InAlAs/InGaAs HEMTの低雑音化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-10-5 InP HEMT短パルス発生器のジッタ特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-4 InAlAs障壁層を薄層化したInAlAs/InGaAs HEMTの雑音特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
• 横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上
• InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上,AWAD2006)
• 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上
• 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
• CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
• 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
• 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
• CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
• InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
• InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
• InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器 (電子デバイス)
• ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-2-38 93-133GHz帯InP HEMT増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-11 75 nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(C-10.電子デバイス)
• CI-2-5 超高速ダイオード技術の現状と展望(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク