GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である.しかしながら、GaNチャネル層を薄層化することにより、結晶表面のモフォロジが悪化するという問題点があった.今回、薄層GaNチャネル層の下層にAlGaNバッファ層を導入し、各層の膜厚とAl組成を変化させ、表面状態・結晶性・光学特性・電気特性について評価した.その結果、薄層化したGaNチャネル層の下層に比較的厚いAlGaNバッファ層を配置することで、表面モフォロジの向上・欠陥の低減・電子移動度の向上が観察された.これにより良好な表面モフォロジと高速性能を有するピンチオフ電流の少ないGaN-HEMTが可能となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-04
著者
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
吉川 俊英
富士通
-
山田 敦史
富士通株式会社
-
牧山 剛三
富士通株式会社
-
多木 俊裕
富士通株式会社
-
金村 雅仁
富士通株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社
-
今西 健治
富士通株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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