多木 俊裕 | 富士通

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概要

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関連著者

• 多木 俊裕

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通

• 原 直紀

  富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 今西 健治

  富士通

• 今西 健治

  富士通研

• 今西 健治

  富士通研究所

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 原 直紀

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 原 直紀

  株式会社富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 吉川 俊英

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 金村 雅仁

  富士通株式会社

• 高橋 剛

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通研究所

• 増田 哲

  (株)富士通研究所

• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 重松 寿生

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  (株)富士通研究所

• 重松 寿生

  富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通株式会社

• 今西 健治

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  富士通(株)

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

• 牧山 剛三

  富士通研究所

• 中舍 安宏

  株式会社富士通研究所

• 今西 健治

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  株式会社富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通研究所

• 井上 雄介

  (株)富士通研究所

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 川野 陽一

  名古屋大学工学研究科

• 岡本 直哉

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  富士通

• 牧山 剛三

  富士通(株)

• 川野 陽一

  富士通株式会社

• 鈴木 俊秀

  富士通株式会社

• 鈴木 俊秀

  株式会社富士通研究所

• 川野 陽一

  株式会社富士通研究所

• 鈴木 俊秀

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通(株)

• 今西 健治

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通(株)

• 山田 敦史

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 原 直紀

  富士通(株)

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 佐藤 優

  株式会社富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  株式会社富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  (株)富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  富士通研究所

• 川野 陽一

  日本医科大学外科

• 川野 陽一

  日本医科大学多摩永山病院 外科

• 廣瀬 達哉

  富士通株式会社

• 岡本 直哉

  富士通(株)

• 吉川 俊英

  富士通(株)

• 佐藤 優

  富士通株式会社

• 常信 和清

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通研究所

• 佐藤 優

  富士通研究所

• 佐藤 優

  株式会社 秋田鶏病中央研究所

• 渡部 慶二

  富士通研究所

• 佐藤 優

  (株)富士通研究所

• 山田 全男

  (株)富士通研究所

• 中舍 安宏

  富士通株式会社

• 佐藤 優

  東海大 工

• 高橋 剛

  富士通(株)

• 岡本 直哉

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通株式会社

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 西森 理人

  富士通研究所

• 山田 敦史

  富士通研究所

• 澤谷 邦男

  東北大学大学院工学研究科

• 水野 皓司

  東北大学電気通信研究所

• 佐藤 弘康

  東北大学大学院工学研究科

• 水野 皓司

  東北大学

• 佐藤 弘康

  東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻

• 澤谷 邦男

  東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻

• 佐藤 優

  富士通研究所高速ICテクノロジ研究部

• 澤谷 邦男

  東北大学大学院工学研究科電気・通信専攻

• 水野 浩司

  東北大通研

• 岩井 大介

  富士通研

• 澤谷 邦男

  東北大学

• 佐藤 優

  富士通(株)

• 赤瀬川 章彦

  (株)富士通研究所

• 山田 敦史

  富士通株式会社

• 岩井 大介

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊秀

  富士通(株)

• 山田 敦史

  富士通(株)

• 増田 哲

  富士通(株)

• 重松 寿生

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通研究所

• 田島 龍彦

  富士通株式会社

• 赤瀬川 章彦

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通

• 岡本 直哉

  富士通研究所

• 金村 雅仁

  富士通研究所

• 今田 忠紘

  富士通研究所

• 美濃浦 優一

  富士通研究所

• 今田 忠紘

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
• 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• W帯GaN MMIC送受信増幅器
• ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
• GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 先端GaN-HEMTデバイス技術 (特集 研究開発最前線)
• モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
• CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ミリ波高出力GaN-HEMT (レーザ・量子エレクトロニクス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT (電子部品・材料)
• ミリ波高出力GaN-HEMT (電子デバイス)
• CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
• 横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
• 原子層堆積Al?O?を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 原子層堆積Al?O?を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (電子デバイス)

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