原 直紀 | (株)富士通研究所

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概要

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• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  富士通研究所

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  富士通

• 原 直紀

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  富士通

• 今西 健治

  富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研

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  (株)富士通研究所

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  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

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  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

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  富士通

• 鈴木 俊秀

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  株式会社富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  (株)富士通研究所

• 高橋 剛

  富士通株式会社

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  (株)富士通研究所

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  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  (株)富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社

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  株式会社富士通研究所

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  (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部

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• 佐藤 優

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• 川野 陽一

  名古屋大学工学研究科

• 川野 陽一

  富士通株式会社

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  富士通株式会社

• 佐藤 優

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• 川野 陽一

  株式会社富士通研究所

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  株式会社 秋田鶏病中央研究所

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• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 佐藤 優

  東海大 工

• 西 眞広

  富士通カンタムデバイス(株)

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  富士通カンタムデバイス(株)

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• 横川 茂

  富士通カンタムデバイス

• 鈴木 俊秀

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

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  富士通カンタムデバイス

• 館野 泰範

  富士通カンタムデバイス(株)

• 館野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 西 眞弘

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 川野 陽一

  日本医科大学外科

• 川野 陽一

  日本医科大学多摩永山病院 外科

• 廣瀬 達哉

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通株式会社

• 山田 敦史

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 澤田 憲

  (株)富士通研究所

• 川野 陽一

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• 澤田 憲

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  富士通カンタムデバイス(株)

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• 木村 徳治

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著作論文

• 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
• 化合物半導体デバイスの将来展望 (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
• ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
• CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• 2.化合物半導体デバイスの将来展望(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
• InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 48ps HEMT DCFL NAND 回路
• CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• pチャネルヘテロ接合FET特性改善のための Mgイオン注入の検討
• Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
• ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
• サブフェムトジュール動作 0.15um InGaP/InGaAs/GaAs HEMT DCFL回路
• GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用
• CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
• InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
• InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
• InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
• InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
• InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
• CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
• InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
• InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
• C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• C-2-34 トランスフォーマーによる中和技術を用いたミリ波帯単相アンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-88 77GHz帯ミリ波レーダ用受信回路の開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

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