サブフェムトジュール動作 0.15um InGaP/InGaAs/GaAs HEMT DCFL回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ゲート長0.15um,側壁形成T型構造のInGaP/InGaAs/GaAs 歪みチャンネルHEMT DCFL回路を試作し、サブフェムトジュール動作を確認した。電源電圧を0.6V, ドライバHEMTのゲート幅を2umに短縮して達成した。この時の基本遅延は22.3ps、パワー遅延積0.8fJであった。ゲート幅を大きくした回路では、電源電圧0.8Vで基本遅延8.7ps、パワー遅延積5.7fJが得られ、HEMTが電源電圧1V以下でも、高速且つ低消費電力性を発揮出来ることを立証した。また、 HEMTの高移動度性により、デュアルゲート構造2入力NAND回路が電源電圧1V以下でも高速安定動作することを、マスタースレーブ型8-NAND 1/2分周器を試作して確認した。電源電圧0.8Vで、トグル周波数10GHz, 消費電力4.5mWであり、この形式の回路としては非常に良好な結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-23
著者
関連論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- 化合物半導体デバイスの将来展望 (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
- SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
- 2.化合物半導体デバイスの将来展望(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 48ps HEMT DCFL NAND 回路
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- pチャネルヘテロ接合FET特性改善のための Mgイオン注入の検討
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- サブフェムトジュール動作 0.15um InGaP/InGaAs/GaAs HEMT DCFL回路
- GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- C-2-61 フリップチップコプレーナ線路によるW帯多段増幅器MMIC
- W帯MMIC多段増幅器
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- C-2-34 トランスフォーマーによる中和技術を用いたミリ波帯単相アンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-88 77GHz帯ミリ波レーダ用受信回路の開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)