島 昌司 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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島 昌司
富士通株式会社
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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佐久間 芳樹
富士通株式会社
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横山 直樹
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通研
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粟野 祐二
富士通株式会社
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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原 直紀
(株)富士通研究所
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Wirner C.
富士通株式会社
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Strutz T.
富士通株式会社
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島 昌司
(株)富士通研究所
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Wirner C.
Fujitsu Ltd.
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末廣 晴彦
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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二木 俊郎
富士通株式会社
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山口 正臣
富士通株式会社
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足立原 孝実
富士通株式会社
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山口 正臣
富士通研究所
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黒田 滋
富士通研
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末廣 晴彦
株式会社富士通研究所
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松倉 祐輔
株式会社富士通研究所
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島 昌司
株式会社富士通研究所
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黒田 滋
株式会社富士通研究所
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志村 忠幸
(株)富士通研究所
-
志村 忠幸
株式会社 富士通研究所
著作論文
- 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
- SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
- pチャネルヘテロ接合FET特性改善のための Mgイオン注入の検討
- サブフェムトジュール動作 0.15um InGaP/InGaAs/GaAs HEMT DCFL回路