pチャネルヘテロ接合FET特性改善のための Mgイオン注入の検討
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概要
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化合物半導体相補型素子の性能を制限しているP型素子の特性改善を目的として、拡散係数の小さいMgを用いることによる短ゲート化と共イオン注入を検討した。その結果、Beイオン注入では作製不可能であったL_g 0.3μmの素子の作製に成功し、f_t10.9GHzを得た。共イオン注入については、Mg+P共注入によりイオン注入層のシート抵抗が低減することがわかった。Mg+P共注入により作製したLg0.5μmの素子で得られた、g_m80mS/mm, V_f-2.0Vの組み合わせは、これまでの報告の中で最良である。以上の結果より、拡散係数の小さいMgを用い、更にMg+P共イオン注入を行うことにより、p-HFETの性能を向上できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
島 昌司
富士通株式会社
-
島 昌司
(株)富士通研究所
-
黒田 滋
富士通研
-
末廣 晴彦
株式会社富士通研究所
-
松倉 祐輔
株式会社富士通研究所
-
島 昌司
株式会社富士通研究所
-
黒田 滋
株式会社富士通研究所
-
末廣 晴彦
(株)富士通研究所
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