自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
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概要
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量子ドット間の共鳴トンネル現象では, フォノンボトルネック効果によって量子井戸の場合よりも低い非共鳴電流が得られる可能性がある. 我々は量子井戸構造に強磁場を印加して実効的に量子ドットを作製し, 電気的評価からこの可能性を明らかにした. 実際に量子ドットを作る方法として提案している正四面体溝ドット技術は, ドット形成位置の制御が可能な方法であり, 均一性の高いドットが形成できる. 本発表では, EDXによる局所領域の組成評価に基づくドット形成機構の解明と, ドットの量子準位制御法として開発した結晶成長原料の供給量制御, 井戸幅制御法について述べる. さらにInGaAs系TSRドットの利点を生かしたドットの多層化技術とこの方法によって作製したAlGaAs/InGaAs 2重TSR量子ドット構造による共鳴トンネル特性について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-15
著者
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
島 昌司
富士通株式会社
-
Wirner C.
富士通株式会社
-
Strutz T.
富士通株式会社
-
Wirner C.
Fujitsu Ltd.
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