29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 佐藤 俊彦

  Erato

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 大野 圭司

  東大理

• 羽田野 剛司

  科技団創造

• 樽茶 清悟

  科技団創造

• 宮澤 俊之

  (株)富士通研究所

• 太田 剛

  科技団創造

• 佐藤 俊彦

  科技団創造

• 大島 利雄

  (株)富士通研究所

• 大野 圭司

  Icorp-jst:理研

• 横山 直樹

  ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

関連論文

• 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 1. 先天性横隔膜ヘルニアに対するECMO治療(一般演題,第21回日本小児人工臓器研究会)
• P-252 嚢胞型胎便性腹膜炎5例の検討(ポスター 新生児疾患1,Better Life for Sick Children, Better Future for Pediatric Surgery,第45回日本小児外科学会学術集会)
• 26pWH-8 高周波印加時の並列結合ダブルドットの特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-8 軌道縮退をもつ弱結合2重量子ドットにおけるスピンブロッケイド現象(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-10 横結合縦型3重量子ドットの電気伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-4 3重量子ドットのStability diagram(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
• 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
• 量子化機能素子のためのAs-Grownナノ構造の作成
• 術前の気管支鏡検査により気管食道瘻を確認し, 合併症なく管理し得たB型先天性食道閉鎖症の極低出生体重児の1例
• 当院における過去5年間の糖尿病母体より出生した児35例の検討
• CTGリピート数の著明な増加を認め, 胎児水腫・先天性乳糜胸を合併した重症先天性筋強直性ジストロフィーの1救命例
• 単一および結合量子ドットの電子状態制御
• 25aZC-7 縦型ダブルドットにおけるトンネル結合及び交換結合の制御(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-13 半導体人工原子の磁場中における少数電子スピン状態(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 14pYB-11 横結合縦型量子ドットによる Charge Read Out(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
• 化学気相成長法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用(グラフェンの成長と応用)
• 22pTH-5 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性 II
• 22pTH-4 並列結合縦型ダブルドットの輸送特性
• 29aYH-7 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性
• 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
• 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 31aZK-5 可変トンネル障壁を有する量子細線の電気伝導
• 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
• 29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
• 17aYG-8 2重ショットキーゲート電極による1-0-1次元構造の作成
• 18pWA-6 GaAs基板上に成長したCo/Al_2O_3/Feのスピンバルブ特性
• 21aTA-12 少数電子並列結合ダブルドットにおける結合及び反結合軌道の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
• 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
• (111)B GaAs基板上の正四面体溝にMOVPE成長した量子ドット構造
• マルチエミッタ型RHETを用いた論理集積回路
• ダブルエミッタRHET構造を有するSRAMセル
• 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
• 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
• 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
• 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
• SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
• VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
• ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
• 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
• 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
• 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
• C-10-12 極性制御可能なグラフェンインバータ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
• 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
• 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
• 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
• 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
• LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
• 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ : ダイレクトトンネルメモリ(DTM)
• 1a-M-2 バリスティック系電気伝導における形状効果の数値解析
• 27a-P-8 ポイントコンタクトにおけるコンダクタンスへの反射障壁の影響
• RHETおよびマルチエミッタ型RHETを用いた論理回路
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 特発性肺ヘモジデローシスを合併した新生児期発症血球貪食性リンパ組織球症の1例
• 出生直後に発症したビタミンK欠乏性出血症の成熟新生児の2例
• 正四面体溝を利用した量子ドット形成
• 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
• ナノテクノロジーへの期待 : 富士通研究所の取り組み
• 日本技術者教育認定制度に対する応用物理学会の取り組み
• 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
• CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
• CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
• 私の意見民間企業の-中間管理職としての意見
• 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-1 並列結合2重ドット系における電子輸送(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-4 縦横型量子ドットの幾何学的効果と準安定状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-9 二つの量子ドットを介したAB効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pRP-1 はじめに(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pRP-1 はじめに(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-8 ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-5 直列2重量子ドットにおける波動関数mappingとLO phonon効果(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 7pSA-12 単独の自己形成InAs量子ドットによる単電子輸送(量子ドット,領域4)
• 24aXP-3 2重障壁ポテンシャル変調をもつ半導体量子細線の電気伝導特性(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24aXP-10 強磁場中における量子ドットの少数電子状態(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク