31aZK-5 可変トンネル障壁を有する量子細線の電気伝導
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pXG-4 g因子制御電界閉じ込め2重量子ドットにおける単一電子スピンコヒーレント制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30pTX-14 g因子制御電界閉じ込め二重量子ドットにおける単一電子スピン共鳴とg因子検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21aTA-8 縦型二重量子ドットにおける交換エネルギー(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
-
29pZP-8 熱CVD法により成長したサスペンデッドカーボンナノチューブの低温伝導特性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
-
23aXF-5 電極上に熱 CVD 成長したカーボンナノチューブの低温伝導特性
-
18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
-
18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
-
30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
-
30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
-
31aZK-5 可変トンネル障壁を有する量子細線の電気伝導
-
29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
-
29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
-
17aYG-8 2重ショットキーゲート電極による1-0-1次元構造の作成
-
18pWA-6 GaAs基板上に成長したCo/Al_2O_3/Feのスピンバルブ特性
-
21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYF-13 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYF-7 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導2(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pWH-7 縦型量子ドットにおける光生成キャリアの電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
-
31aZP-5 2 次元電子量子ホール系における電子スピン共鳴と核スピンポンピング
-
18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
-
27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
-
25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
-
20aYK-11 g因子制御量子井戸構造における量子輸送の光応答特性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pWH-4 光子スピン量子メディア変換のための結合量子ドットスピン依存量子輸送特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22aPS-136 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子井戸構造における光応答特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22pTH-10 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における光応答特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22pTH-11 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における量子輸送特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aTA-7 縦型2重量子ドットにおける間接励起子の電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
領域4,7「極微細構造の電子輸送 : メゾからナノへ」(第57回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
-
27p-YE-1 強磁性SETトランジスタの電気伝導
-
22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
-
27pTB-2 少数電子を含む人工原子の近藤効果とコトンネリング
-
25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
-
24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
14pYB-9 半導体縦型二重量子ドットにおける二重ゲートによる電子状態の制御(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
-
24pK-2 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列の超伝導・絶縁体転移II
-
24pK-1 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列における超伝導臨界電流
-
27aD-3 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列の超伝導・絶縁体転移
-
21aTA-9 縦型二重量子ドットを用いた動的核スピン偏極率の測定(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
23aXL-9 縦型二重量子ドットにおけるスピン一重項-三重項のミキシング制御(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
29pXB-7 2重量子ドットスピンブロッケード条件でのマイクロ波照射効果(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19aTA-9 単一量子ドットによる単一光子から単一電子への変換と非破壊検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
29aYH-9 2 重量子ドットにおける電子-核相互作用とトンネル電流不安定性
-
量子ドット中の電子スピンの相互作用と制御 (特集号)
-
27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
-
26pD-1 微小半導体リング構造のトンネル特性
-
25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
-
24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30aYA-11 半導体人工原子の励起スペクトルにおけるゼーマン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
-
21aTA-10 オフセット可変2重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
-
結合量子細線におけるクーロンドラッグ
-
結合量子細線におけるクーロンドラッグ
-
17aYG-9 結合量子細線における負のドラッグ抵抗
-
28aYS-8 結合量子細線におけるクーロンドラッグとフォノンドラッグ
-
28aYS-7 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線における磁気ミニバンドとコンダクタンス振動
-
24pSA-5 結合量子細線におけるクーロンドラッグの温度特性
-
25pK-2 縦型2重量子ドットにおけるドット間トンネルのスピンブロッケード
-
24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
-
26pD-5 磁場中の人工原子におけるクーロン直接項と交換項 : フント第一則との関係
-
26pD-3 弱結合縦型二重ドットの電気伝導II
-
26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
-
31p-A-2 弱結合縦型二重ドットの電気伝導
-
29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
-
29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
-
27p-YG-7 弱結合2重量子ドットのトンネルにおける選択則
-
28aYA-7 量子ドットにおける電子スピン・核スピン制御(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
-
27pTB-3 2重量子ドットにおけるLOフォノン介在トンネリング
-
24pK-12 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
-
18pYJ-3 スピンブロッケード状態下の量子ドットにおける動的核スピン分極
-
27aXC-8 光子スピン量子状態転写のためのGaAs系量子トラスポート素子の単一光子応答(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pD-4 Si量子ドットのゼーマン効果
-
18pYJ-6 多重ゲート縦型二重量子ドットにおける面内閉じ込め異方性の制御
-
25pPSA-14 光子スピン量子状態転写のための単一量子ドットによる単一光子応答(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pPSA-13 光子スピン量子状態転写のための量子トランスポート測定によるGaAs系量子構造のg因子推定II(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXC-10 光子スピン量子状態転写のための量子トランスポート測定によるGaAs系量子構造のg因子推定(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
29pYG-11 半導体二重量子ドットにおける核スピンのコヒーレント制御(量子ホール効果)(領域4)
-
2003年度サー・マーティン・ウッド賞 ; 藤澤利正氏
-
22pTH-6 スピンブロッケード状態下の量子ドットにおける核スピン制御
-
[招待講演]半導体2重量子ドットにおけるスピン依存伝導
-
7pSA-12 単独の自己形成InAs量子ドットによる単電子輸送(量子ドット,領域4)
-
7pSA-3 単一電子2重量子ドットにおける光介在トンネリング(量子ドット,領域4)
-
7pSA-9 人工分子のドット間オフセットと結合反結合電子状態(量子ドット,領域4)
-
25aXP-11 磁性半導体GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗・スピンバルブ効果のバイアス依存性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
24aXP-3 2重障壁ポテンシャル変調をもつ半導体量子細線の電気伝導特性(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
6aSA-8 結合量子細線における負のドラッグ抵抗とその磁場依存性(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)
-
24aXP-10 強磁場中における量子ドットの少数電子状態(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク