25aXP-11 磁性半導体GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗・スピンバルブ効果のバイアス依存性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 山口 智弘

  Erato

• 田中 雅明

  東大工

• 林 稔晶

  Ntt物性基礎研

• 大野 圭司

  東大理

• 肥後 豊

  東大工

• 樽茶 清悟

  ERATO

• 樽茶 清悟

  ERATO:東大理:NTT物性基礎研

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