24aE-8 (TMTSF)_2(AsF_6)_<1-x>(FeCl_4)_xのスピン密度波相における磁気抵抗

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 山口 智弘

  Erato

• 山口 智弘

  理研

• 山口 智宏

  理研

関連論文

• 20aTE-5 Sm_Sr_xMnO_3薄膜の絶縁体-金属相転移における熱処理の効果
• 27a-J-8 K_3C単結晶の超伝導上部臨界磁場
• 26aXG-2 グラフェン結合量子ドットにおけるクーロンブロッケイド効果の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pYH-5 グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
• 29pZP-8 熱CVD法により成長したサスペンデッドカーボンナノチューブの低温伝導特性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 23aXF-5 電極上に熱 CVD 成長したカーボンナノチューブの低温伝導特性
• 22pTH-5 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性 II
• 22pTH-4 並列結合縦型ダブルドットの輸送特性
• 29aYH-7 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性
• 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
• 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
• 22aR-5 (TMTSF)_2AsF_6のスピン密度波相におけるしきい電場の温度-圧力-磁場依存性
• 22aR-2 (TMTSF)_2(AsF_6)_(FeCl_4)_xのスピン密度波相における非線型伝導
• 24aE-8 (TMTSF)_2(AsF_6)_(FeCl_4)_xのスピン密度波相における磁気抵抗
• 28a-XB-11 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁性不純物のスピン状態
• 26a-N-1 磁性不純物をドープした(TMTSF)_2AsF_6の磁化率
• 31a-YP-4 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中比熱II
• 5a-C-10 SDW low temperature state of(TMTSF)_2AsF_6:thermopower investigation and magnetic field influence
• 5a-C-9 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中比熱
• 28p-C-3 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中電気伝導
• 28p-C-2 (TMTSF)_2AsF_6における比熱と磁化率
• 31a-D-4 (TMTSF)_2XのSDW多相と電気伝導II
• 28a-YK-11 単結晶にドープしたK_3C_の超伝導上部臨界磁場
• 18aRJ-1 カーボン13ナノチューブの成長と評価(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30a-K-9 (TMTSF)_2PF_6のSDW多相と電気伝導
• 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pXP-4 少数電子を含むダブルドットの結合特性(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 25aXP-11 磁性半導体GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗・スピンバルブ効果のバイアス依存性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 28pCL-2 グラフェンFETを用いたTHz波検出の温度依存性(28pCL 領域4,領域7合同 グラフェン(分光・電子状態),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク