山口 智弘 | Erato
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概要
関連著者
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山口 智弘
Erato
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山口 智宏
理研
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山口 智弘
理研
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鹿児島 誠一
東大院総合
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前里 光彦
東大院総合
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大野 圭司
東大理
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樽茶 清悟
ERATO
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三浦 登
東大物性研
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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樽茶 清悟
ERATO SORST
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鹿児島 誠一
東大教養
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山口 智弘
東大教養
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山田 和正
九大院理
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山田 和正
九大理
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山口 智弘
東大院総合
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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羽田野 剛司
ERATO
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勝又 紘一
理研播磨
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香取 浩子
理研
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勝又 紘一
理研
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丸山 有成
分子研
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田中 雅明
東大工
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長谷川 達生
東大院総合
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丸山 有成
法政大工
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長田 俊人
東大先端研
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林 稔晶
Ntt物性基礎研
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佐藤 俊彦
Erato
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羽田野 剛司
ERATO SORST
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東大理
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山田 和正
科技団創造
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山口 智弘
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川合 真紀
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東大工
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東大院総合
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京大理
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阿知波 洋次
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理研播磨研
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北大理
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菊地 耕一
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池本 勲
都立大理
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池本 勲
都立大院理
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岩佐 義宏
東大工
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久保田 智広
理化学研究所
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佐屋 裕子
理化学研究所
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萩原 政幸
理化学研究所
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香取 浩子
理化学研究所
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緒方 啓典
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品川 秀行
東大教養
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分子研
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東北大理
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東大理
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丸山 達朗
NTT-AT
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NTT物性基礎研
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久保田 智広
東北大:理研
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科技団創造
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樽茶 清悟
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樽茶 清悟
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泉田 渉
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東大理
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Austing D.
NTT物性基礎研究所
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Bondarenko V.
東大院総合
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西 義史
(株)東芝研究開発センター・LSI基盤技術ラボラトリー
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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Austing David
NTT基礎研
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Inabe T
北大院理
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Austing David
Nrc
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Austing D.
Ntt物性基礎研
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Austing David
Ntt物性科学基礎研
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久保田 智広
理研
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萩原 政幸
阪大極限
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Austing D.
Nrc
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樽茶 清悟
ERATO:東大理:NTT物性基礎研
著作論文
- 20aTE-5 Sm_Sr_xMnO_3薄膜の絶縁体-金属相転移における熱処理の効果
- 27a-J-8 K_3C単結晶の超伝導上部臨界磁場
- 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
- 29pZP-8 熱CVD法により成長したサスペンデッドカーボンナノチューブの低温伝導特性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 23aXF-5 電極上に熱 CVD 成長したカーボンナノチューブの低温伝導特性
- 22pTH-5 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性 II
- 22pTH-4 並列結合縦型ダブルドットの輸送特性
- 29aYH-7 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性
- 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
- 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
- 22aR-5 (TMTSF)_2AsF_6のスピン密度波相におけるしきい電場の温度-圧力-磁場依存性
- 22aR-2 (TMTSF)_2(AsF_6)_(FeCl_4)_xのスピン密度波相における非線型伝導
- 24aE-8 (TMTSF)_2(AsF_6)_(FeCl_4)_xのスピン密度波相における磁気抵抗
- 28a-XB-11 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁性不純物のスピン状態
- 26a-N-1 磁性不純物をドープした(TMTSF)_2AsF_6の磁化率
- 31a-YP-4 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中比熱II
- 5a-C-10 SDW low temperature state of(TMTSF)_2AsF_6:thermopower investigation and magnetic field influence
- 5a-C-9 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中比熱
- 28p-C-3 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中電気伝導
- 28p-C-2 (TMTSF)_2AsF_6における比熱と磁化率
- 31a-D-4 (TMTSF)_2XのSDW多相と電気伝導II
- 28a-YK-11 単結晶にドープしたK_3C_の超伝導上部臨界磁場
- 30a-K-9 (TMTSF)_2PF_6のSDW多相と電気伝導
- 24pXP-4 少数電子を含むダブルドットの結合特性(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 25aXP-11 磁性半導体GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗・スピンバルブ効果のバイアス依存性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))