岩佐 義宏 | 東大工
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概要
関連著者
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岩佐 義宏
東大工
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国府田 隆夫
東大工
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十倉 好紀
東大理
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斉藤 軍治
京大院理
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斉藤 軍司
京大理
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斎藤 軍司
京大院理
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竹延 大志
早大先進
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三浦 登
東大物性研
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蓬田 陽平
東北大金研
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蓬田 陽平
東北大理
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岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
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下谷 秀和
東北大金研
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岩佐 義宏
東大 工
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岩佐 義宏
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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竹延 大志
東北大金研
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長谷川 達生
東大工
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竹延 大志
東北大 金属材料研
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斉藤 軍治
京大理
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斉藤 軍治
物性研
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竹延 大志
東北大学金属材料研究所:jstさきがけ
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竹延 大志
早大先進:jstさきがけ
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岩佐 義宏
東北大金研
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岸田 英夫
東大工
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竹延 大志
早大先進理工
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木戸 義勇
物材機構
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柳 和宏
首都大理工
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腰原 伸也
東大理
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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岩佐 義宏
東大物性研
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下谷 秀和
東北大理
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木戸 義勇
東大物性研
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堀田 収
京都工繊大
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三浦 登
物性研
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渡邉 則之
東大工
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岩沢 尚子
物性研
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国府田 隆夫
日本女子大学理学部数物科学科
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橘 浩昭
化技研
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岩佐 義宏
物性研
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澤部 宏輔
東北大理
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Koda Tomonori
Department Of Polymer Science And Engineering Yamagata University
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下谷 秀和
東大工
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袁 洪涛
東大工
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柳 和之
首都大理工
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山雄 健史
京都工繊大
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守屋 理恵子
首都大理
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柳 和宏
CREST-JST
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小野 新平
電中研
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有馬 孝尚
東大工
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松本 睦良
物質研
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松本 睦良
化技研
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柳 和宏
産総研
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安田 剛規
東大工
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安田 剛規
東大・工
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小野 新平
電力中央研究所:ジュネーブ大
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守屋 理恵子
首都大理工
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津田 諭
東北大理
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丸山 建一
早大先進
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徳永 将史
東大物性研
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十倉 好紀
東大工
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木村 剛
阪大基礎工
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若林 裕助
阪大基礎工
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高増 正
東大物性研
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渡辺 則之
東大工
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船津 英一
東大工
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樽茶 清悟
Ntt武蔵野通研
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川端 康治郎
化技研
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木戸 義勇
物性研
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渡辺 勝儀
山梨大教育
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渡辺 勝儀
山梨大工
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川端 康治郎
物質工学工業技術研究所
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兼安 孝幸
東大工
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Bisri Satria
東北大理
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山本 涼介
阪大基礎工
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十倉 好紀
産総研:東大工
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衰 洪涛
東大工
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Wen Di
早大先進
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袁 洪涛
東大工:jst-crest
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衰 洪涛
東大工:jst-crest
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岡本 紘
Ntt電気通信研究所
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片浦 弘道
産総研ナノシステム
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坂田 修身
物材機構
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森崎 はづき
阪大基礎工
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今川 雅貴
早大先進
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八木 健彦
東大物性研
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嶽山 正二郎
物性研
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石田 憲二
阪大基礎工
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北岡 良雄
阪大基礎工
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山口 智弘
Erato
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小松 晃雄
阪市大院理
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小野瀬 佳文
東大工
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朝山 邦輔
阪大基礎工
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片浦 弘道
産総研ナノテク
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川崎 雅司
理研cmrg:東北大金研
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小林 正起
東大院工
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内田 和人
東大物性研
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鹿児島 誠一
東大教養
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田中 昭二
東大工
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川崎 雅司
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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山下 正廣
名大教養
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有馬 孝尚
東大理
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丸山 有成
分子研
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内藤 方夫
東大工
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岡本 博
東大工
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水橋 恒治
東大工
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渡邊 則之
東大工
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曽我 巌
東大工
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石川 栄一
東大工
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高岡 圭児
東大工
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三谷 洋興
分子研
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十倉 好紀
理研cmrg:erato-mf
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十倉 好紀
東大工:産総研cerc:erato-mf
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阿部 修治
電総研
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丸山 有成
法政大工
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緒方 啓典
分子研
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山口 智弘
東大教養
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長田 俊人
東大先端研
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塚崎 敦
東北大金研
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国府田 隆夫
東京大学・工
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Shen Z.
Department Of Applied Physics Stanford University
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橘 浩昭
物質研
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日高 剛朗
東大工
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和田 芳樹
無機材研
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永田 正明
東京商船大
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幸田 清一郎
東大院工
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小野 瀬佳文
JST-ERATO
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新野 芳浩
阪大基礎工
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小野瀬 佳文
Erato-mf:東大工
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三谷 忠興
分子研
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吉田 秀史
富士通株式会社LCD事業本部
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海部 要三
阪市大理
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小松 晃雄
阪市大理
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山口 智宏
理研
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水谷 伸雄
分子研
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Tokura Y
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:cross- Correlated Materials Research Group Riken:m
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Tokura Y
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist):department Of Applied Physic
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永田 正明
分子研
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安藤 恒也
物性研
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樽茶 清悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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三浦 登
東京大学物性研究所
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Tanji Yasunori
Institute For Materials Research Tohoku University:(present Office)cross-correlated Materials Resear
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幸田 清一郎
東京大
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BISRI Satria
東北大金研
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阿部 修治
電総研、筑波大物質工
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深谷 一夫
東大工
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Siegrist T
At&t Bell Labo.
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田中 謙二
東大工
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Rennie John
東芝総研
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袁 洪涛
東大院工
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幸田 清一郎
東大工
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渡辺 勝儀
山梨大
-
吉田 秀史
富士通
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内藤 泰裕
東大工
-
内藤 泰裕
東大・工
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Cava J.r
At&t Bell Labo.
-
Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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十倉 好紀
東大工:erato-mf:riken-cmrg Cerg
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橘 宏昭
化技研
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岩佐 義宏
SRL-ISTEC
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岡本 紘
NTT武蔵野通研
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樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
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岡本 紘
日本電信電話公社武蔵野通研
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岩佐 義宏
東京大学物性研
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堀越 佳治
日本電信電話公社武蔵野通研
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Zhou O
AT&T Bell Labo.
-
Fleming M.R
AT&T Bell Labo.
-
Siegrist T
AT&T Bell Labo.
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Lyons B.K
AT&T Bell Labo.
-
Rothberg L
AT&T Bell Labo.
-
Tycko R
AT&T Bell Labo.
-
Cava J.R
AT&T Bell Labo.
-
Hebard F.A
AT&T Bell Labo.
-
Hadden C.R
AT&T Bell Labo.
-
Thomas A.G.
AT&T Bell Labo.
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砂村 潤
東大工
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和田 智之
理研レーザー科学研
-
田代 英夫
理研レーザー科学研
-
Tokura Yoshinori
Department Of Physics University Of Tokyo : Joint Research Center For Atom Technology (jrcat)
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Tokura Yoshinori
Correlated Electron Research Center (cerc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tec
-
Tokura Yoshinori
Joint Research Center For Atom Technology : Correlated Electron Research Center (cerc) National Inst
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渥美 滋
東大工
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小林 正起
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
-
Tycko R
At&t Bell Labo.
-
Lyons B.k
At&t Bell Labo.
-
Hadden C.r
At&t Bell Labo.
-
Rothberg L
At&t Bell Labo.
-
Hebard F.a
At&t Bell Labo.
-
Thomas A.g.
At&t Bell Labo.
-
Fleming M.r
At&t Bell Labo.
-
Tomioka Y
Correlated Electron Research Center (cerc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tec
-
川崎 雅司
東北大学原子分子材料科学高等研究機構 金属材料研究所
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塚崎 敦
東京大学大学院工学系研究科
-
柳和 宏
首都大理工
-
川崎 雅司
東大工
-
吉見 龍太郎
東大工
-
塚崎 敦
東大工
-
Tokura Y
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:joint Research Center For Atom Technology (jrcat):
-
松崎 怜樹
早大先進
-
蓬田 陽平
東北大理:早大先進
-
牛膓 翔太
早大先進
著作論文
- 31p-B-4 2次元Mott-Hubbard系(BEDT-TTF)(TCNQ)における反強磁性転移
- 25a-W-12 有機電荷移動錯体TMB-TCNQの中性-イオン性転移
- 25a-W-11 TMB-TCNQの圧力誘起逐次NI相転移
- 5p-X-7 TMB-TCNQの圧力誘起NI相転移-高圧下の反射スペクトル
- 5p-X-5 有機錯体の電荷移動転移と格子転移
- 2a-G-6 電荷移動錯体における電流誘起不安定性
- 31p-G-8 電荷移動錯体の圧力下における相転移
- 31p-P-2 有機物における新しい価数転移系:TMB-TCNG
- 5p-M-7 中性-イオン性境界での相転位 : TMB-TCNQの挙動
- 6a-S4-9 交互積層電荷移動錯体の非線形電気伝導
- 3a-S4-4 CT錯体結晶の(反)強誘電的パイエルス相での光誘起効果
- 3a-S4-2 CT錯体結晶におけるパイエルス型格子転移と一次元強誘電性
- 14p-DD-6 アルカリ金属化合物A_xC_の電子状態
- 25a-W-8 ハロゲン架橋白金錯体の薄膜作製と非線形光学効果
- 30a-H-3 混合原子価金錯体の光誘起吸収
- 30p-M-1 パルス強磁場下のNbSe_3の磁気抵抗
- 28a-YK-11 単結晶にドープしたK_3C_の超伝導上部臨界磁場
- 23pRL-13 両極性発光を用いたトランジスタ特性解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27p-J-1 K_3C_の光反射スペクトル
- 29p-C-3 アルカリ金属C_化合物の光学的性質と電子構造
- 29p-C-2 フラーレン固体の電場変調スペクトルと光非線形性
- 26a-ZG-14 高分子半導体ポリシランでの量子細線効果 : 1次元励起子とその光物性
- 29p-F-3 超強磁場におけるC_薄膜の磁気光学スペクトル
- 13p-B-13 強磁場下におけるアルカリドープC_の磁化測定II
- 1p-PS-49 強磁場下におけるアルカリドープC_の磁化測定
- 超格子GaAs-AlGaAsの磁気光学効果
- 28a-E-18 強磁場下に於けるBiI_3結晶の磁気光効果III : 間接励起子
- 27p-A-4 半導体超格子の磁気光学
- 超格子中2次元励起子の磁気光学 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の物性)
- 3a-F-15 量子井戸中の2次元ホールのサイクロトロン共鳴
- 2p-KP-1 強磁場におけるGaAs-AlAs超格子の励起子と磁気光学効果
- 11p-E-10 強磁場下におけるGaAs/AlAs超格子の光学吸収スペクトル
- 27p-N-4 パルス強磁場下におけるSi-MOS FETの電気伝導と電子局在
- 27p-N-4 パルス強磁場下におけるSi-MOSFETの電気伝導と電子局在
- 2p-A-10 SiMOSの強磁場高周波伝導
- 5a-NL-10 パルス強磁場におけるSiMOS-FETのシュブニコフドハース効果III
- 28a-Y-13 ポリシランのχ^スペクトル.II
- 28a-Y-12 ポリシランのχ^スペクトル.I
- 31a-YK-3 高圧合成によるC_の準安定相
- 29p-M-10 一次元半導体ポリシランにおける Frenkel励起子からWannier励起子へのクロスオーバー
- 27a-ZD-8 シリコン系ポリマーの主鎖構造と非線形光学応答
- 29p-G-12 ポリシランのX^スペクトル.III
- 13p-B-5 A_xC_における分子価数と電子構造の関係 : 光学的性質
- 日本における研究生活の感想
- 30a-M-10 アントラセン : PMDA結晶の電荷移動型励起子バンド
- 28p-J-6 鉛フタロシアニンの光電的性質
- 30p-R-13 ポリシランにおける非線形感受率X^^〜^のKramers-Kronig変換
- 27a-ZD-19 共役系高分子の一次元励起子 : 種々の非線形光学過程
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 31a-YJ-4 (BEDT・TTF)(TCNQ)の金属絶縁体転移と反強磁性- ^1H-NMR
- 27pTB-6 金属・半導体分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-6 金属・半導休分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTG-3 共振器構造を有した単結晶発光トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTC-8 PLD法によるBi_2Se_3単結晶薄膜の作製とキャリヤー制御(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTG-4 イオンゲルを用いた発光トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTG-4 金属・半導体分離SWNT薄膜の1次元的伝導特性(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-1 電気二重層トランジスタの微視的構造 : イオン液体-金(111)界面構造の電圧依存性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-1 電気二重層トランジスタの微視的構造 : イオン液体-金(111)界面構造の電圧依存性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCF-8 インクジェット法を用いた半導体カーボンナノチューブトランジスタのキャリア伝導機構(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCF-9 イオンゲルを用いた高性能カーボンナノチューブ厚膜トランジスタ(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCF-3 イオンゲルを用いたトランジスタのインピーダンス解析(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCF-2 回折格子構造を持つ有機単結晶発光トランジスタ(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCF-1 発光トランジスタにおけるキャリア閉じ込め構造の導入(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXP-11 有機フォトニック単結晶を用いた両極性発光トランジスタの作製(27aXP 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 1aC-2 交互積層型電荷移動錯体結晶の緩和励起子(イオン結晶・光物性)
- 1a-G4-8 TTF-クロラニルの中性-イオン性転移と誘電応答(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 27p-LN-5 アントラセンのVUV励起スペクトルに対する磁場効果(イオン結晶・光物性)
- 27p-LN-4 フタロシアニンの圧力下における光物性(イオン結晶・光物性)
- 29p-LD-9 変調ドープGaAs-Al_xGa_As系超格子の強磁場下励起子スペクトル(半導体)
- 1a-G4-7 水素結合を含む電荷移動錯体の相転移(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31a-P-7 電荷移動錯体における巨大誘電応答と負性抵抗(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))
- 31a-P-8 電荷移動型(反)強誘電体の相転移と非線形誘電応答(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))