蓬田 陽平 | 東北大金研
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概要
関連著者
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蓬田 陽平
東北大金研
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竹延 大志
早大先進
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竹延 大志
東北大金研
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竹延 大志
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東大 工
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蓬田 陽平
東北大理
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岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
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竹延 大志
東北大学金属材料研究所:jstさきがけ
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岩佐 義宏
東大工
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岩佐 義宏
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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岩佐 義宏
東北大金研
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下谷 秀和
東北大金研
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岩佐 義宏
東大院工
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竹延 大志
早大先進:jstさきがけ
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柳 和宏
首都大理工
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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竹延 大志
早大先進理工
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高橋 優貴
筑波大院数物
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柳 和之
首都大理工
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丸本 一弘
筑波大院数物
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辻 大毅
筑波大院数物
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蓬田 陽平
東北大院理
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下谷 秀和
東北大理
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山雄 健史
京都工繊大
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堀田 収
京都工繊大
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守屋 理恵子
首都大理
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柳 和宏
CREST-JST
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丸本 一弘
筑波大院数物:jstさきがけ
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柳 和宏
産総研
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守屋 理恵子
首都大理工
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下谷 秀和
東大工
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竹延 大志
早大院先進
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小野 新平
電中研
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小野 新平
電力中央研究所:ジュネーブ大
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津田 諭
東北大理
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松本 大佑
筑波大院数物
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蒲 江
早大先進
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安達 千波矢
九州大学未来化学創造センター
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Bisri S.
東北大金研
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八尋 正幸
九大未来化学
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安達 千波矢
九大未来化学
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八尋 正幸
(財)九州先端科学技術研究所/九州大学
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BISRI Satria
東北大金研
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安達 千波矢
九州大学・未来化学創造センター
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袁 洪涛
東大工
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Wen Di
早大先進
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袁 洪涛
東大工:jst-crest
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片浦 弘道
産総研ナノシステム
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久保園 芳博
岡山大学大学院自然科学研究科
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藤原 明比古
北陸先端大
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真庭 豊
首都大理工
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片浦 弘道
産総研
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片浦 弘道
産総研ナノテク
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松田 和之
首都大理工
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末清 雅人
北陸先端大
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仕幸 英治
北陸先端大
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久保園 芳博
岡山大自然
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中野谷 一
九大未来化学
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内藤 泰久
産総研
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真庭 豊
CREST-JST
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片浦 弘道
産総研ナノテク:crest-jst
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片浦 弘道
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門:crest-jst
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片浦 弘道
都立大・理
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藤原 明比古
高輝度光科学研究センター
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片瀬 弘道
都立大・理
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Kitazawa Hideaki
Department Of Physics Faculty Of Science Tohoku University
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Kato H
Tohoku Inst. Technol. Sendai
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袁 洪涛
東大院工
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Bisri Satria
東北大理
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Kato H
Photon Factory National Laboratory For High Energy Physics
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澤部 宏輔
東北大理
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Kitazawa Hideaki
The Institute Of Physical And Chemical Research
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中野谷 一
九州大学大学院工学府物質創造工学専攻
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Kawada Hajime
Photon Factory Institute Of Materials Structure Science High Energy Accelerator Research Organizatio
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片浦 弘道
産業技術総合研究所
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Kira H
Department Of Crystalline Materials Science Nagoya University
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蓬田 陽平
東北大学
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竹延 大志
早稲田大学
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柳和 宏
首都大理工
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衰 洪涛
東大工
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衰 洪涛
東大工:jst-crest
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末永 和知
産総研
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中津 亨
京大薬
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松崎 怜樹
早大先進
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蓬田 陽平
早大先進
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蓬田 陽平
東北大理:早大先進
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竹延 大志
早大院先進:JSTさきがけ
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工藤 光
首都大理工
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小林 春花
産総研
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吉宗 良祐
京大薬
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丸本 一弘
筑波大数物
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辻 大毅
筑波大数物
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高橋 優貴
筑波大数物
-
松本 大佑
筑波大数物
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野房 勇希
早大院先進
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蓬田 陽平
早大院先進
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野房 勇希
早大先進
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Li Lain-Jong
Academia Sinica
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丸本 一弘
筑波大数物:JSTさきがけ
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Liu Keng-Ku
Academia Sinica
著作論文
- 27pYD-2 疎水処理基板を用いたn型C_FETの大気曝露効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-3 フッ素系絶縁膜を用いた両極性単結晶トランジスタ(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTB-3 有機単結晶を用いた両極性発光トランジスタ(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-13 両極性発光を用いたトランジスタ特性解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTB-6 金属・半導体分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-6 金属・半導休分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pTB-12 金属型・半導体型単層カーポンナノチューブ薄膜における光電気化学測定(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-9 イオンゲルを用いたルブレン単結晶トランジスタの電場誘起ESR(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTB-9 イオンゲルを用いたルブレン単結晶トランジスタの電場誘起ESR(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-8 イオンゲルを用いた高分子薄膜トランジスタの電場誘起ESR(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-4 イオンゲルを用いた発光トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTG-4 金属・半導体分離SWNT薄膜の1次元的伝導特性(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCF-12 結晶状単層カーボンナノチューブ集合体の作製とその物性(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-4 イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-3 イオンゲルを用いた有機トランジスタの高電荷密度状態のESR研究(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-4 イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-3 イオンゲルを用いた有機トランジスタの高電荷密度状態のESR研究(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCF-8 インクジェット法を用いた半導体カーボンナノチューブトランジスタのキャリア伝導機構(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCF-9 イオンゲルを用いた高性能カーボンナノチューブ厚膜トランジスタ(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCF-3 イオンゲルを用いたトランジスタのインピーダンス解析(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aFH-2 電気二重層トランジスタにおける高密度電荷の2次元磁気相互作用と磁性(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aFH-3 イオンゲルを用いたMoS_2薄膜トランジスタ(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))