木戸 義勇 | 物材機構
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概要
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木戸 義勇
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木戸 義勇
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(独)物質・材料研究機構 ナノ計測センター
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(独)物質・材料研究機構 ナノ計測センター
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端 健二郎
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東大生産研
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東京電機大工
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木戸 義勇
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新潟大自然
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東京電機大学
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群馬大学工学部
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京大院理
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上智大理工
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東大工
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東大工
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新潟大自然
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清水 禎
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大木 忍
独立行政法人物質・材料研究機構
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端 健二郎
物質・材料研究機構ナノ計測センター
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大木 忍
(独)物質・材料研究機構 ナノ計測センター
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木戸 義勇
独立行政法人物質・材料研究機構
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阪大工
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勝井 明憲
茨城通研
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佐々木 高義
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小川 信二
物性研
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家 泰弘
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伊藤 豊
京大院理
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物質・材料研究機構 超伝導材料研究セ
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三浦 登
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(独)物質・材料研究機構材料研究所
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新谷 紀雄
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名大・工
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東京電機大工
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間宮 広明
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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中田 博保
大阪教育大学教養学科
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アムステル大
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東北大 理 物理
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室町 英治
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辻井 直人
ナノマテリアル研究所
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鈴木 修
ナノマテリアル研究所
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北澤 英明
ナノマテリアル研究所
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木戸 義勇
ナノマテリアル研究所
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内藤 方夫
東大工
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寺倉 千恵子
産総研cerc
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
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米津 宏昭
名古屋大学プラズマ研究所核融合プラズマ計測センター
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藤田 順治
名古屋大学プラズマ研究所核融合プラズマ計測センター
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宮島 英紀
東大物性研
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北澤 英明
物材研
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高増 正
物質・材料研究機構
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國井 暁
東北学院大工
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国井 暁
東北学院大工
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風間 菜々子
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根本 祐一
新潟大学自然
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後藤 輝孝
新潟大学自然
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木戸 義勇
産総研エレ
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大山 忠司
福井工大
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横谷 尚睦
高輝度光科学研究センター
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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品川 秀行
物材機構ナノマテ研
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寺井 慶和
阪大院工
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関根 智幸
上智大理工:crest-jst
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名嘉 節
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間宮 広明
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木戸 義勇
金属材料技術研究所
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今井 基晴
物質・材料研究機構
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高橋 實
東大物性研
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高浜 良男
群馬大学工学部
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笹子 佳孝
東大工
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宮島 英紀
慶大理工
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濱本 輝文
東北大金研
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浜本 輝文
東北大金研
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八井 浄
長岡技科大・工
著作論文
- 27p-P-5 Hf_Ta_xFe_2素の強磁場磁化過程
- 22pPSA-72 半導体用光ポンピングNMR装置開発の現状(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYN-10 フラーレンナノウィスカー中のC_分子運動(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aPS-3 光ポンピング法による化合物半導体の動的核偏極と核超偏極状態の研究(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pWB-10 光ポンピング法による化合物半導体の核超偏極と励起スペクトル(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
- 21aPS-43 TbXAl(X=Ni, Pd) の構造相転移
- 1a-Pβ-30 強磁場下におけるn-GaSbのシュブニコフ・ド・ハース効果
- 30aUF-6 水和コバルト酸化物超伝導体の相図 : 価数依存性・Naイオン置換効果・強磁場効果(30aUF Co系・超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pPSA-51 強磁場領域におけるCe_xLa_B_6の磁気相図の研究(28pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aPS-86 強磁場下におけるCe_xLa_B_6の弾性定数(領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12aRC-1 Ce_xLa_B_6 の反強四重極子秩序の強磁場中磁気相図(四極子, 領域 8)
- 29pPSA-15 Ce_xLa_B_6 の強磁場超音波測定
- 22aWE-10 ハイブリッドマグネットシステムの改修I(磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 15a-S-10 CuGeO_3のスピン・パイエルス転移 II
- 22aPS-83 希土類三元系化合物RTAlの同相構造相転移II(領域3ポスターセッション,化合物磁性,酸化物磁性,f電子系磁性,スピングラス・ランダム系・アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 1a-B-7 p-GeSi合金のサイクロトロン共鳴とHall移動度
- 8a-N-8 奇整数量子ホール効果状態における磁気抵抗の温度依存性
- 28p-R-10 奇整数量子ホール効果状態におけるエネルギーギャップの磁場依存性
- 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
- 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象I : 角度および電荷密度依存性
- 奇整数量子ホール効果状態におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
- 3a-E-5 高易動度試料における分数量子ホール効果のブレークダウン現象
- 23aPS-76 逐次転移を示すSmPd_2Al_3単結晶の磁気的性質(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pSB-8 Pb_2V_3O_9におけるトリプロンのボーズアインシュタイン凝縮(27pSB 量子スピン系(一次元系,クラスター系および一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pPSA-48 非クラマース系PrInAg_2における四極子近藤効果(28pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aSB-2 スピン1/2の3倍周期鎖を持つCu_3(P_2O_6OH)_2における1/3磁化プラトーの観測(30aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30p-M-1 パルス強磁場下のNbSe_3の磁気抵抗
- 21aPS-21 PrInNi_4 の超音波測定と基底状態
- 21pTR-6 GaAs量子ドットの共鳴励起発光と励起子ダイポールモーメント(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 27aWA-7 単一量子ドットの共鳴励起発光と励起子ラビ振動(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 24aPS-85 GaAs量子ドット発光の位相緩和(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-10 単一量子ドット発光の自己相関測定(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 15aRA-5 Ce_3Rh_2Ge_2 の磁化測定(重い電子系, 領域 8)
- 15aRA-4 La_3Ir_2Ge_2 超伝導体の磁化の圧力効果(重い電子系, 領域 8)
- 高密度・大電流プラズマからの放射とその計測研究会プログラム
- Co薄膜の低温における電気伝導特性
- 電波感応スイッチ素子とその応用開発
- 27pTC-16 YbCu_2Si_2における非フェルミ液体的振る舞い(27pTC 価数揺動系,重い電子系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30pUF-4 幾何学的フラストレーション系CePdAlの非磁性元素置換効果(30pUF Ce,Yb化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aYC-5 量子ドット結合2DEGにおけるν
- 19aYC-11 希土類ドープGaAs超格子における強磁場発光過程(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pPSA-87 価数揺動を示すYb化合物の熱膨張(領域8ポスターセッション(f電子系統II),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pPSA-40 幾何学的フラストレーション系CePdAlの希釈効果(領域8ポスターセッション(f電子系統II),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pPSA-39 PrPtAl単結晶の磁気比熱(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aXH-7 Cu_2CdB_2O_6における磁化プラトーの観測(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 5p-NL-2 強磁場下におけるGaAs EPI薄膜の磁気フォノン共鳴
- 28pWA-4 強磁場中のCu_2O光吸収スペクトルと不安定軌道(量子カオス系)(領域11)
- 20aWE-4 強磁場による Cu_2O 光吸収スペクトルの不安定軌道による考察
- 28pYF-11 Cu_2O 光吸収スペクトルの磁場依存性および温度依存性とカオス的解釈
- 30aVE-7 II-VI族希薄磁性半導体2次元電子系のサイクロトロン共鳴(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYK-13 ミリ波サブミリ波帯におけるCdMnTe量子ホール系の磁気透過測定(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWJ-11 II-VI族半導体2次元電子系におけるミリ波サイクロトロン共鳴と量子振動観測(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aTG-5 強磁場における半導体ファラデー回転分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 13aWE-8 配向 DNA 薄膜の光応答伝導(分子デバイス, 導電性高分子, 領域 7)
- 24pWE-11 超音波によるPrInAg_2の極低温における軌道縮退消失の観測(四極子,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 14aRC-11 Pr_3Pd_Ge_6 の磁気的性質と基底状態(価数揺動, 領域 8)
- 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 19pYJ-11 n-ZnOのサイクロトロン共鳴とポーラロン効果
- 30a-M-3 GaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 19pTA-4 希薄磁性半導体CdMnTe2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXJ-4 高濃度II-VI族半導体2次元電子系の磁気光学応答II(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXC-2 高濃度II-VI族半導体2次元電子系の磁気光学応答(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aTB-2 ZnSe中のLiアクセプターによる赤外吸収の磁場変化
- 19aYC-12 II-VI族半導体2次元電子系のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-12 希土類添加AlAs/AlGaAs超格子の電子状態IV(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-12 ポーラスアルミナを用いて作製された超伝導体ナノワイヤーの磁気特性(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-10 量子ドット結合2DEGにおけるν
- 24pPSA-7 Al_Cr_xN薄膜の作成と磁性(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 幾何学的フラストレーション系TbNiAlのY希釈効果による反強磁性 : 強磁性転移の出現
- 14pPSB-12 YbGaGe の熱膨張と組成依存性(f-電子系, 領域 8)
- 14aWG-3 フラストレーション系 TbNiAl の希釈効果(フラストレーション系, スピングラス・ランダム系, 領域 3)
- 12aPS-1 磁性イオンをドープした AIN 薄膜の作成と物性 II(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 14aYC-5 II-VI 族半導体 2 次元電子系の磁気発光における荷電励起子とフェルミ端異常(磁性半導体, 領域 4)
- 14aYB-10 量子ドット結合 2DEG におけるν
- 30pWP-6 電気めっき法によるナノワイヤーの作成(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
- 27pPSA-7 ダイヤモンド表面導電層のナノ加工(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 29pYG-15 量子ホール効果状態のフォトルミネッセンスに対する電子-正孔間のスクリーニング効果(量子ホール効果)(領域4)
- 28pYF-11 希土類添加AlAs/AlGaAs超格子の電子状態II(量子井戸・超格子)(領域4)
- 30aXD-9 正方晶DyB_2C_2,HoB_2C_2のAFQ秩序相の磁気異方性(四極子秩序,関連物質)(領域8)
- 28pPSA-56 カゴ状物質La_3Pd_Ge_6のラットリングによる超音波吸収(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 28pPSA-47 PrInAg_2における高温四重極揺らぎ(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 28aPS-72 ダブルペロブスカイト型酸化物 : Ba_R_xCoMoO_6(R=La,Y,Pr)の合成と物性(領域8 ポスターセッション)(領域8)
- 30pYH-7 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe 変調ドープ 2 次元電子系における磁気発光特性のキャリア濃度依存性
- 29pTC-12 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe変調ドープ構造における強磁場下発光特性
- 29pTC-11 希薄磁性半導体2次元電子系Cd Mn Te/Cd Mg Teの磁気発光測定II
- 幾何学的フラストレーション系TbXAl(X=Ni, Pd)のメタ磁性転移と巨大磁気抵抗効果
- 27pPSB-7 近接と次近接相互作用を持つ1次元スピン鎖系(S=1/2)A_2Cu_2Mo_3O_(A=Rb,Cs)の磁性I(領域3ポスターセッション : 遷移金属化合物)(領域3)
- 28a-HE-12 低温強磁場下のグラファイト、ビスマスの磁気抵抗と相転移
- 30a-N-4 グラファイトの強磁場下における誘電異常
- 3a-A-12 パルス強磁場下におけるグラファイトの磁気光学効果 II
- 3a-A-11 低温強磁場に於けるグラファイトの電子相転移
- 3a-A-10 量子極限における半金属のキャリア数測定 : Biおよびグラファイトの磁歪
- 31p-E-9 パルス強磁場下におけるグラファイトの磁気光学効果
- 3a-B-5 強磁場におけるn-GaPのサイクロトロン共鳴
- 30p-E-13 TiSe_2の相転移 III
- 27p-YN-9 パルス強磁場下における磁気光学測定装置の開発と量子ドットへの応用
- 21pTH-9 InP 中 Yb イオンの磁性
- 18aYH-2 希薄磁性半導体量子ホール系における磁気発光スペクトルの異常
- 18aYG-8 Cd_Mn_xCd_Mg_yTe変調ドープ二次元電子系の磁気抵抗 : キャリア濃度依存性
- 22pK-9 希薄磁性半導体2次元電子系CdMnTe/CdMgTeの磁気発光測定
- 22aL-8 希薄磁性半導体2次元電子系CdMnTe/CdMgTeのサイクロトロン共鳴II
- 26aC-5 希薄磁性半導体2次元電子系CdMnTe/CdMgTeのサイクロトロン共鳴
- 24aD-9 分数量子ホール効果状態磁気発光に対する有限電流効果
- 31p-ZB-3 整数量子ホール領域におけるII-VI族半導体2次元電子系の磁気発光測定
- 28a-ZB-11 強磁場下非平衡状態下での磁気発光効果
- 28a-ZB-8 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果III
- 31p-ZB-3 整数量子ホール領域におけるII-VI族半導体2次元電子系の磁気発光測定
- 28a-ZB-11 強磁場下非平衡状態下での磁気発光効果
- 28a-ZB-8 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果III
- 27a-YN-6 整数量子ホール領域におけるCdTe/CdMgTe2次元電子系のサイクロトロン共鳴
- 26p-YG-12 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態II
- 26p-YG-12 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態II
- 30p-CH-2 "POPCORN-1"のプラズマ・フォーカス高繰り返し現象
- 27p-N-4 パルス強磁場下におけるSi-MOS FETの電気伝導と電子局在
- 27p-N-4 パルス強磁場下におけるSi-MOSFETの電気伝導と電子局在
- 2p-A-10 SiMOSの強磁場高周波伝導
- 5a-NL-10 パルス強磁場におけるSiMOS-FETのシュブニコフドハース効果III
- 20aTJ-6 配向 DNA フィルムの光学特性
- 8a-N-8 奇整数量子ホール効果状態における磁気抵抗の温度依存性
- 28p-R-10 奇整数量子ホール効果状態におけるエネルギーギャップの磁場依存性
- 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象I : 角度および電荷密度依存性
- 20pPSA-27 超音波による HoB_2C_2 の AFQ 磁気相図
- 4p-NQ-12 超強磁場下におけるルビーの電子スピン共鳴
- 2a-NQ-13 強磁場下におけるDyIGのファラデー回転とスピンフリップ転移
- 28a-KL-12 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成 VIII
- 30p-CH-4 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成 VII
- 1p-B-1 超強磁場におけるEu-カルコゲナイドのファラデー効果と磁気光吸収
- 31a-Y-7 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成VI
- 超強磁場下の物性実験 (第4回プラズマフォ-カス研究会)
- 3p-NY-3 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成 V
- 5p-NL-3 強磁場下における
- 5p-NL-1 超強磁場におけるEuカルコゲナイドのファラデー効果
- 31a-D-10 プラズマフォーカス放電による超強地場の生成IV
- パルス強磁場下の物性実験-2-光ファイバ-伝送を用いた電磁雑音対策
- パルス強磁場下の物性実験-1-電磁妨害対策
- 30p-Q-7 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態
- 30p-Q-7 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態
- 2a-P-8 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成 III
- 21pTL-8 量子ホール効果状態におけるフォトルミネッセンスの緩和過程とキャリア密度依存性
- 28a-E-4 パルス強磁場におけるSiMOS-FETのシュブニコフード・ハース効果 II
- 31a-A-2 電磁磁束濃縮法
- 30a-D-6 Co_Ni_xS_2の強磁場磁化過程
- 30a-N-3 パルス強磁場における半金属の振動及び非振動磁化
- 3a-SD-7 パルス強磁場における規則相Au_4Vの磁化過程
- 27p-Z-10 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成 II
- 1a-K-13 パルス強磁場下におけるBi及びBiSb混晶の遠赤外光反射と透過
- 3a-B-6 パルス強磁場下におけるBi及びBi-Sb混晶の赤外サイクロトロン共鳴
- 28a-E-11 パルス強磁場下におけるBi及びBi-Sb混晶の磁気光学反射
- 3a-Q-6 パルス強磁場下のDyIGの磁気光学的性質
- 27a-Q-8 超強磁場におけるCdSの励起子吸収
- 27p-K-7 超強磁場によるRIGのスピン相転移
- 28a-HE-13 パルス強磁場におけるビスマスおよびグラファイトの磁歪
- 22aPS-75 Sr_La_xMMoO_6 (M=Mn, Co) の合成と物性
- 29aPS-9 二重ペロフスカイト型酸化物 Sr_2MMoO_6(M=Ni, Mn, Co&Cu) の合成と物性 II
- 29aPS-9 二重ペロフスカイト型酸化物 Sr_2MMoO_6(M=Ni, Mn, Co&Cu) の合成と物性 II
- まえがき(強磁場の発生と物性への応用)
- 1a-Pα-25 GaAs-Al_xGa_Asヘテロ接合の磁気フォノン共鳴
- 1a-K-12 パルス強磁場下の磁気フォノン共鳴
- 電磁濃縮法による超強磁場の発生とその応用 (第2回プラズマフォ-カス研究会報告)
- 8aPS-30 SmMn_2Ge_2のL端XMCD(遍歴磁性,化合物磁性,スピングラス・ランダム系,量子スピン系,磁気共鳴一般,実験技術開発等,領域3)
- 6aWB-9 X-Y系希土類化合物のメタマグ転移の角度依存性(化合物磁性・f電子系,領域3)
- 9aSA-8 量子ホール効果状態におけるSPMを用いた伝導度測定(整数・分数量子ホール効果,領域4)
- 9aSA-7 有限電流下量子ホール効果状態におけるフォトルミネッセンスの緩和過程(整数・分数量子ホール効果,領域4)
- 6aPS-73 PrPtBiの弾性定数(II)(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)
- 9pXC-13 PrNi5の磁場中超音波測定(重い電子系(超伝導,その他),領域8)
- 8aPS-43 二重ペロブスカイト型酸化物(遍歴磁性,化合物磁性,スピングラス・ランダム系,量子スピン系,磁気共鳴一般,実験技術開発等,領域3)
- 27aXP-9 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe変調ドープ2次元電子系の磁気発光特性:キャリア濃度依存性(27aXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 25aPS-24 ErRu_2Ge_2のメタマグ転移の角度依存性(25aPS 遍歴電子磁性・化合物物性,量子スピン系,フラストレーション系,f電子系,磁性一般,磁気共鳴,実験技術,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- 24aSA-8 量子ホール効果状態における試料端の電子特性(24aSA 量子ホール効果(ストライプ,エッジ),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 25aSA-1 量子ホール効果状態での光学緩和家庭に関する研究(25aSA量子ホール効果(発光,二層系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 9aSA-9 アンチドット格子系における量子ホール状態の磁気発光スペクトル(整数・分数量子ホール効果,領域4)