家 泰弘 | 物性研

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  東京大学物性研究所

• 家泰 弘

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  青山学院大学理工学専攻

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• 為ヶ井 強

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• 高橋 利幸

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• 小池 洋二

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• 堀田 輝昭

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• 桑原 優樹

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• 春山 純志

  青山学院大学理工学専攻

• 竹内 啓悟

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• 小池 啓太

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  青山学院大理工

• 橋本 大樹

  青山学院大理工

• Yan Z.

  Rice University

• Tour J.

  Rice University

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著作論文

• 21pHV-5 1次元周期変調下の2次元電子系における高周波伝導率の測定(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28p-PS-4 単結晶YBa_2Cu_3O_x(RE)Ba_2Cu_3O_xの臨界磁場
• 20aYF-12 量子ホール系における拡散熱電能の測定(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12p-PSB-29 酸化物超伝導体の磁気トルク
• 27p-Z-5 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3の高圧、低温における磁気抵抗
• 21pHV-7 量子ホール系の熱電効果におけるモットの関係式の実験的検証(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pHV-6 熱電効果で見る1次元平面超格子の整合性磁気抵抗振動(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-1 量子ホール領域における拡散慈電能の充填率依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 31p-K-11 グラファイト層間化合物の電子的性質 II
• 20pBX-6 物性実験分野からの提言(第1部,20pBX 日本物理学会 学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
• 20pBX-6 物性実験分野からの提言(20pBX 日本物理学会学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
• 20pBX-6 物性実験分野からの提言(20pBX 日本物理学会 学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
• 26aXG-11 横結合型量子ドットを用いた量子ホール状態の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pYH-15 ボロンドープ単層ナノチューブFETの電気特性 : 超伝導との相関(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYJ-8 微細孔をあけた微小超伝導体における渦糸状態の観測(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 30pTX-6 横結合型量子ドットを用いたスピン偏極の検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 物性研究所の歩みと展望(物性研究所とその全国共同利用の50年の歩み)
• 21aYE-5 多端子Hall crossによる微小超伝導体の渦糸状態の観測(21aYE 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 22pYF-8 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-7 1次元周期的変調による分数量子ホール効果消失の機構(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-1 アンチドット周りにおけるエッジ状態のスクリーニング効果(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-4 横結合型量子ドットにおける励起状態の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWA-8 Hall Crossを用いた微小超伝導体における渦糸状態の観測(電荷密度波・超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• グラファイトの強磁場電子相転移に対する圧力効果(II 平成元年度研究会報告,超強磁場による電子制御の研究,科研費研究会報告)
• 層状物質の電流磁気効果(強磁場の発生と物性への応用 II. 物性をさぐる)
• 3p-A-8 グラファイト層間化合物C_MHg(M:K, Rb), C_4KTl_の超伝導
• 3p-A-5 グラファイト層間化合物の^CNMR
• 3p-A-4 グラファイト層間化合物のスピン帯磁率
• アルカリ金属アマルガム・グラファイト層間化合物(C_8MH_g,M=K,Rb)の超伝導に対する圧力の効果(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
• 31p-E-8 アルカリ・アマルガム・グラファイト層間化合物の超伝導に対する圧力効果
• グラファイト層間化合物の超伝導(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• アクセプターGICの電子構造(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3p-NGH-13 アルカリ・アマルガム・グラファイト層間化合物の超伝導
• 2p-NL-8 遷移金属カルコゲン化合物のインターカレーション効果
• 31p-K-10 グラファイト層間化合物の電子的性質 I
• 31p-K-3 低温・強磁場における単結晶グラファイトの異常磁気抵抗
• 黒鉛インタ-カレ-ション化合物 (低次元物質特集号) -- (付録)
• グラファイト・インタ-カレ-ション化合物 (低次元物質特集号) -- (低次元導体)
• 30p-L-5 グラファイト-硝酸層間化合物の電子的性質
• 30p-L-4 グラファイト-AsF_5層間化合物の電子的性質
• 4p-H-10 アクセプター型グラファイト層間化合物の電子的性質 : C_8nAsF_5等
• 国産学術誌と物性物理学(物理学英文誌刊行の新体制I)
• 31p-G-13 有機伝導体の高磁場磁気抵抗(α-(BEDT-TTF)_2l_3他)
• 3p-M-12 ジグザグ分子配列を持つ有機伝導体の高磁場磁気抵抗
• 20pBX-6 物性実験分野からの提言(第1部,20pBX 日本物理学会 学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
• 17pYG-8 分布をもつ磁場下の量子ホール効果 : スピンに依存した温度依存性
• 24aTG-4 2次元正孔系アンチドット格子の整合性磁気抵抗振動(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 3a-A-10 量子極限における半金属のキャリア数測定 : Biおよびグラファイトの磁歪
• 28a-L-6 Tl系酸化物超伝導体の磁気トルク
• 28a-K-9 DCNQI-Cu系の強磁場下における金属-非金属転移
• 28a-Q-4 SrLa_xTiO_3のキャリヤー有効質量の増大と金属-絶縁体転移
• 21aTH-8 量子ホール遷移領域における抵抗揺らぎとAB型振動(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-7 アンチドットにおけるν=2量子ホール状態でのAB型振動(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-5 1次元的ポテンシャル変調を加えた2次元電子系のシュプニコフ・ド・ハース振動(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-8 横結合型量子ドットにおけるクーロン相互作用(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pRC-12 近藤効果の非局所制御(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTG-3 2次元正孔系アンチドット格子の磁気抵抗におけるベリー位相の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26p-PSB-8 Bi系酸化物超伝導体のトルク測定
• 23pWH-9 1次元周期的変調下の分数量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)東大物性研遠藤彰,家泰弘663
• 21aXQ-5 磁束充填率α=1/2での超伝導ネットワークの相転移(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 19pRC-12 準周期的1次元平面超格子における抵抗増大(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 1a-C-7 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3のホール効果 (II)
• 13p-DF-6 準周期構造下における電流磁気効果
• 27a-K-4 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3のホール効果
• 30a-M-8 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3の異常磁気抵抗(III)
• 29p-ZF-5 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3の高圧,低温における磁気抵抗 (II)
• 31a-PS-13 酸化物超伝導体の磁気トルク (2)
• 26aHD-11 スピン軌道相互作用のある系における量子ポイントコンタクトのスピン偏極検出(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-14 量子ホール領域における電流加熱時電子温度の空間分布の充填率依存性(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-3 1次元周期変調下2次元電子系の高周波伝導率の周期・方位依存性(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-2 二次元周期的変調を加えた二次元電子系の磁気振動現象(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pHD-2 横結合型量子ドットによる量子ドットのエネルギー準位スペクトル測定(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-4 六方格子変調を加えた二次元電子系の幾何学共鳴現象(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-7 量子ホール系における電流加熱時電子温度の空間分布と発生する熱起電力(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-5 1次元平面超格子の高周波伝導率に見られる整数充填率近傍の共鳴ピーク(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• IPAPの現状と課題
• 副会長に就任して
• 近頃の学生さん
• 27aCE-2 (Ca,Mn)Asの格子歪み緩和と成長面内磁気異方性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aCE-12 スピン軌道相互作用の強い量子ドット-アハロノフボームリング複合系の伝導(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-8 六方格子変調を加えた二次元電子系における幾何学共鳴の電荷密度依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-5 量子ホール系の直流電流加熱による熱起電力 : 充填率および電流・磁場方向依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-8 横結合型量子ドットを用いた状態密度測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 会長になって良かったこと
• 20aFB-4 スピン軌動相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFB-6 量子ホール領域におけるペルチェ効果の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aEC-9 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pEC-5 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pFB-11 (Ga,Mn)Asの格子歪みと磁気異方性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pFB-5 アンドレーフ反射に対する横方向電流の効果(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-12 量子ホール領域での電流による加熱とペルチェ冷却(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-9 高周波加熱を利用した量子ホール領域での熱電効果の測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-8 熱電効果による1次元平面超格子における整合性振動の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXQ-10 スピン軌道相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出II(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXL-9 Nb/InAs接合におけるAndreev反射の横方向電流および磁場方向依存性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 1p-PS-80 YBa_2Cu_3O_単結晶の超伝導特性(低温(酸化物超伝導体))
• 26pDK-12 強磁性グラフェンナノ細孔アレイで創製したTMR構造の物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-11 SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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