家泰 弘 | 東大物性研:crest Jst
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概要
関連著者
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家泰 弘
東大物性研:crest Jst
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家 泰弘
東大物性研
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家 泰弘
物性研
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勝本 信吾
東大物性研
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遠藤 彰
東大物性研
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家 泰弘
物理系学術誌刊行協会
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遠藤 彰
室蘭工業大学大学院
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家 泰弘
東京大学物性研究所
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家泰 弘
東大物性研
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勝本 信吾
東京大学物性研究所
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勝本 信吾
東大物性研:東大ナノ量子機構
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橋本 義昭
東京大学物性研究所
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Katsumoto Shingo
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation
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遠藤 彰
土浦協同病院外科
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遠藤 彰
(株)小堀鐸二研究所
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橋本 義昭
東大物性研
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Endo A
Tokyo Noko Univ. Tokyo Jpn
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Endo Akira
Energy-efficient Chemical Systems Group Research Institute For Innovation In Sustainable Chemistry N
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勝本 信吾
東京大学物性研
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藤田 和博
東大物性研
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遠藤 彰
東京大学物性研究所
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橋本 義昭
東京大学物性研
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佐野 浩孝
東大物性研
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阿部 英介
東大物性研
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大塚 朋廣
東大工
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大塚 朋廣
東大物性研
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春山 純志
青学大理工
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加藤 雅紀
東大物性研
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金 善宇
東京大学物性研究所
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春山 純志
青山学院大 大学院
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藤田 和博
東京大学物性研究所
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藤田 和博
東京大学物性研
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Rao A.
クレムソン大
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高堂 寿士
東大物性研
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小寺 克昌
東大物性研
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春山 純志
青学理工:jst-crest
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加藤 悠人
東大物性研
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上川 正太
青山学院大学理工学専攻
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梶岡 利之
東大物性研
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小林 研介
東大物性研
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相川 恒
東大物性研
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佐藤 政寛
東大物性研
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中村 壮智
東大物性研
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丸山 茂夫
東京大学機械工学専攻
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八木 優子
青山学院大学理工学専攻
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加藤 悠人
東京大学物性研究所
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橋本 泰樹
青山学院大学理工学専攻
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Kang Ning
東大物性研
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趙 沛
東大
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中村 壮智
東京大学物性研究所
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里見 槙平
青山学院大学理工学専攻
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櫻元 健志
青山学院大学理工学専攻
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小杉 直輝
青山学院大学理工学専攻
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趙 沛
東京大学機械工学専攻
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尹 東河
東大物性研
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高橋 侑市
東大物性研
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上條 潤一
青山学院大理工
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加藤 建彰
青山学院大理工
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倉本 義夫
東北大理
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松尾 まり
東北大金研
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岡本 徹
東大理
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羽田野 直道
東大生研
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西尾 隆宏
理化学研究所
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長谷川 幸雄
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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田辺 正樹
東大物性研
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長谷川 靖洋
埼玉大学大学院理工学研究科
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長谷川 靖洋
埼玉大
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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白崎 良演
横国大工
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中村 浩章
核融合研
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松尾 まり
お茶大理
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杉原 硬
お茶大理
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長谷川 靖洋
埼玉大院
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杉原 硬
東大物性研
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羽田野 直道
埼玉大院
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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西尾 隆弘
東大物性研
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清水 台生
青学大理工
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瀬谷 謙太
青学大理工
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岩原 正典
青学大理工
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Reppert J.
クレムソン大
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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大屋 満明
東大理
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竹内 啓悟
京大院情報
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當山 清彦
東大理
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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當山 清彦
東大理:nec
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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春山 純志
青学理工
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倉本 義夫
東北大学大学院理学研究科
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倉本 義夫
東北大・工
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春山 純志
青山学院大理工
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倉本 義夫
東大 理
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大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
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大野 恭秀
阪大基礎工
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下村 哲
阪大基礎工
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冷水 佐壽
阪大基礎工
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鈴木 一也
東大物性研
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Kuramoto Yoshio
Department Of Mathematics And Statistics University Of Melbourne:department Of Physics Tohoku Univer
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Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
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加藤 雅紀
重大物性研
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遠藤 彰
重大物性研
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勝本 信吾
重大物性研
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家 泰弘
重大物性研
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Endo A
Sumitomo Heavy Industries Ltd.
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Endo Akira
Department Of Chemistry Faculty Of Science And Technology Sophia University
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倉本 義夫
東大・理
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Khym G.L.
Chonnam Nat'l Univ.
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Kang Kicheon
Chonnam Nat'l Univ.
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Khym G.l.
Chonnam Nat'l Univ.
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Kang Kicheon
Chonnam Nat'l Univ.
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桑原 優樹
東大物性研
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金 善宇
東大物性研
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長谷川 靖洋
埼大工
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梶岡 利之
東京大学物性研究所
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中村 浩章
核融合科学研究所:名古屋大学
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KURAMOTO Yoshio
Department of Applied Physics, Tohoku University
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Soerdal Vegard
東京大学物性研究所
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Rao A.
クレムソン大学
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中村 悠紀
青山学院大学理工学専攻
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Thurakitseree T.
東京大学機械工学専攻
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春山 純志
青山学院大学理工学専攻
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竹内 啓悟
青山学院大学理工学専攻
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小杉 直樹
青山学院大学理工学専攻
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天野 裕昭
東大物性研
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高井 久弥
東大物性研
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小池 啓太
東大物性研
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小早川 周平
東大物性研
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橋本 泰樹
青山学院大理工
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橋本 大樹
青山学院大理工
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Yan Z.
Rice University
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Tour J.
Rice University
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Soriano D.
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology
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Roche S.
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology
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岸本 将広
青山学院大理工
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大屋 満明
パナソニック(株) デバイス社 基盤技術開発センター
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八木 優子
青山学院大理工
著作論文
- 21pHV-5 1次元周期変調下の2次元電子系における高周波伝導率の測定(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYF-12 量子ホール系における拡散熱電能の測定(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pHV-7 量子ホール系の熱電効果におけるモットの関係式の実験的検証(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pHV-6 熱電効果で見る1次元平面超格子の整合性磁気抵抗振動(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-1 量子ホール領域における拡散慈電能の充填率依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pBX-6 物性実験分野からの提言(第1部,20pBX 日本物理学会 学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
- 20pBX-6 物性実験分野からの提言(20pBX 日本物理学会学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
- 20pBX-6 物性実験分野からの提言(20pBX 日本物理学会 学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
- 26aXG-11 横結合型量子ドットを用いた量子ホール状態の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pYH-15 ボロンドープ単層ナノチューブFETの電気特性 : 超伝導との相関(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYJ-8 微細孔をあけた微小超伝導体における渦糸状態の観測(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 30pTX-6 横結合型量子ドットを用いたスピン偏極の検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 物性研究所の歩みと展望(物性研究所とその全国共同利用の50年の歩み)
- 21aYE-5 多端子Hall crossによる微小超伝導体の渦糸状態の観測(21aYE 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 22pYF-8 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-7 1次元周期的変調による分数量子ホール効果消失の機構(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-1 アンチドット周りにおけるエッジ状態のスクリーニング効果(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-4 横結合型量子ドットにおける励起状態の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWA-8 Hall Crossを用いた微小超伝導体における渦糸状態の観測(電荷密度波・超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 18pRC-8 量子ホール系における抵抗検出核磁気共鳴(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYC-3 GaAs2次元正孔系の強局在領域における正の巨大磁気抵抗(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 国産学術誌と物性物理学(物理学英文誌刊行の新体制I)
- 20pBX-6 物性実験分野からの提言(第1部,20pBX 日本物理学会 学術誌関連シンポジウム:物理学英文誌刊行の新体制,理事会企画)
- 27aXB-8 正孔量子ホール系における非周期的抵抗ゆらぎ(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-5 正孔量子ホール系における長時間緩和を伴う磁気抵抗のヒステリシス(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-1 超短周期平面超格子の量子ホールプラトー間遷移における温度スケーリング(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTG-4 2次元正孔系アンチドット格子の整合性磁気抵抗振動(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-9 2次元正孔系の高次ランダウ準位における抵抗異方性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTH-8 量子ホール遷移領域における抵抗揺らぎとAB型振動(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-7 アンチドットにおけるν=2量子ホール状態でのAB型振動(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27aXB-9 アンチドット系における量子振動の配置による影響とその起源(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-6 少数アンチドット系における量子ホール領域での振動現象(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-5 1次元的ポテンシャル変調を加えた2次元電子系のシュプニコフ・ド・ハース振動(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-8 横結合型量子ドットにおけるクーロン相互作用(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pRC-12 近藤効果の非局所制御(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-2 横結合型量子ドットを持つ量子細線の伝導特性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTG-3 2次元正孔系アンチドット格子の磁気抵抗におけるベリー位相の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWH-9 1次元周期的変調下の分数量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)東大物性研遠藤彰,家泰弘663
- 21aXQ-5 磁束充填率α=1/2での超伝導ネットワークの相転移(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 19pRC-12 準周期的1次元平面超格子における抵抗増大(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXJ-6 準周期的1次元平面超格子における幾何学共鳴(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXJ-9 超伝導ネットワークの相転移(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pXC-5 超伝導ウィークリンクネットワークの相転移(30pXC 微小超伝導体・金属量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aWF-10 空間変調磁場下の超伝導ネットワーク(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYC-2 1次元平面超格子における開いた軌道の幾何学共鳴への変調ポテンシャル高調波成分の寄与(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aZC-11 平面超格子におけるポテンシャル変調振幅の電子濃度依存性 : 2次元電子系厚みの効果(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aZC-3 非対称Fano-近藤効果の観測(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aZC-2 量子ドット・ABリング系におけるFano-近藤効果(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aZC-1 量子ドットのコヒーレント伝導 : Fano効果をめぐる実験(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26aHD-11 スピン軌道相互作用のある系における量子ポイントコンタクトのスピン偏極検出(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHG-14 量子ホール領域における電流加熱時電子温度の空間分布の充填率依存性(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHG-3 1次元周期変調下2次元電子系の高周波伝導率の周期・方位依存性(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHG-2 二次元周期的変調を加えた二次元電子系の磁気振動現象(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pHD-2 横結合型量子ドットによる量子ドットのエネルギー準位スペクトル測定(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-4 六方格子変調を加えた二次元電子系の幾何学共鳴現象(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-7 量子ホール系における電流加熱時電子温度の空間分布と発生する熱起電力(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-5 1次元平面超格子の高周波伝導率に見られる整数充填率近傍の共鳴ピーク(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- IPAPの現状と課題
- 副会長に就任して
- 27aWL-5 申請枠拡大の精神(科研費申請枠拡大 : 提言とその後,物理と社会シンポジウム:男女共同参画-科学技術基本計画改定の機会に-,物理と社会)
- 超伝導ネットワーク (〈超伝導接合の物理と応用〉特集号) -- (ジョセフソン効果の多様な側面)
- 近頃の学生さん
- 27aCE-2 (Ca,Mn)Asの格子歪み緩和と成長面内磁気異方性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-12 スピン軌道相互作用の強い量子ドット-アハロノフボームリング複合系の伝導(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pCJ-8 六方格子変調を加えた二次元電子系における幾何学共鳴の電荷密度依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pCJ-5 量子ホール系の直流電流加熱による熱起電力 : 充填率および電流・磁場方向依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 会長になって良かったこと
- 20aFB-4 スピン軌動相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pFB-6 量子ホール領域におけるペルチェ効果の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aEC-9 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-5 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pFB-11 (Ga,Mn)Asの格子歪みと磁気異方性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-5 アンドレーフ反射に対する横方向電流の効果(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-12 量子ホール領域での電流による加熱とペルチェ冷却(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-9 高周波加熱を利用した量子ホール領域での熱電効果の測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-8 熱電効果による1次元平面超格子における整合性振動の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXQ-10 スピン軌道相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出II(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXL-9 Nb/InAs接合におけるAndreev反射の横方向電流および磁場方向依存性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-12 強磁性グラフェンナノ細孔アレイで創製したTMR構造の物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-11 SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))