大屋 満明 | 東大理

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概要

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• 大屋 満明

  東大理

• 大屋 満明

  パナソニック（株） デバイス社　基盤技術開発センター

• 岡本 徹

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• 松並 絢也

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• 當山 清彦

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  東大理:nec

• 家 泰弘

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• 橋本 義昭

  東大物性研

• 武市 泰男

  東大物性研

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• 大山 忠司

  Osaka Univ. Osaka

• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• Ohyama Teruo

  Department Of Physics Gakushuin Univ

• 家泰 弘

  東大物性研:crest Jst

• 横川 俊哉

  パナソニック（株） デバイス社　基盤技術開発センター

• Yokogawa Toshiya

  Device Module Development Center, Corporate R&D Division, Panasonic Corporation, Moriguchi, Osaka 570-8501, Japan

• Yokogawa Toshiya

  Device Module Development Center, Panasonic Corporation, Moriguchi, Osaka 570-8501, Japan

• Oya Mitsuaki

  Device Module Development Center, Panasonic Corporation, Moriguchi, Osaka 570-8501, Japan

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著作論文

• 19aYC-13 Si/SiGeヘテロ構造2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴と電子相関(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-3 GaAs2次元正孔系の強局在領域における正の巨大磁気抵抗(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-13 シリコン量子ホール系における電子スピン共鳴(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14aYB-9 GaAs2 次元正孔系における強相関電子固体相の磁気抵抗振動(量子ホール効果, 領域 4)
• 29pYG-7 Si-MOS 2次元電子系における活性化型伝導領域での磁気抵抗振動とスピン偏極(量子ホール効果)(領域4)
• 13aYB-9 シリコン二次元電子系における電子スピン共鳴(半導体スピン物性, 領域 4)
• 28aZP-1 Si/SiGe ヘテロ構造試料における 2 次元金属相とスピン自由度
• Low Contact Resistance P-Type Electrode for Nonpolar m-Plane GaN
• 高出力m面GaN基板上InGaN-LED
• Low Contact Resistance P-Type Electrode for Nonpolar m-Plane GaN

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