21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2012-08-24
著者
-
家 泰弘
物性研
-
家 泰弘
東京大学物性研究所
-
春山 純志
青学大理工
-
Rao A.
クレムソン大
-
春山 純志
青学理工:jst-crest
-
橋本 義昭
東京大学物性研究所
-
勝本 信吾
東京大学物性研究所
-
家泰 弘
東大物性研
-
趙 沛
東大
-
家泰 弘
東大物性研:crest Jst
-
春山 純志
青山学院大 大学院
-
上川 正太
青山学院大学理工学専攻
-
丸山 茂夫
東京大学機械工学専攻
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藤田 和博
東京大学物性研究所
-
加藤 悠人
東京大学物性研究所
-
櫻元 健志
青山学院大学理工学専攻
-
小杉 直輝
青山学院大学理工学専攻
-
趙 沛
東京大学機械工学専攻
-
橋本 泰樹
青山学院大学理工学専攻
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藤田 和博
東京大学物性研
-
橋本 義昭
東京大学物性研
-
勝本 信吾
東京大学物性研
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