勝本 信吾 | 東京大学物性研

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概要

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関連著者

• 家 泰弘

  東京大学物性研究所

• 勝本 信吾

  東京大学物性研究所

• 勝本 信吾

  東京大学物性研

• 家 泰弘

  物性研

• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• 家泰 弘

  東大物性研:crest Jst

• 橋本 義昭

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• 家泰 弘

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• 春山 純志

  青学大理工

• 春山 純志

  青山学院大 大学院

• 藤田 和博

  東京大学物性研究所

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• 遠藤 彰

  東大物性研

• 遠藤 彰

  東京大学物性研究所

• 金 善宇

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• 上川 正太

  青山学院大学理工学専攻

• 家 泰弘

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• Rao A.

  クレムソン大

• 春山 純志

  青学理工:jst-crest

• 丸山 茂夫

  東京大学機械工学専攻

• 八木 優子

  青山学院大学理工学専攻

• 加藤 悠人

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• 橋本 泰樹

  青山学院大学理工学専攻

• 橋本 義昭

  東大物性研

• 勝本 信吾

  東大物性研:東大ナノ量子機構

• 田中 啓安

  東大物性研

• 田中 啓安

  東京大学物性研究所

• 家 泰弘

  物理系学術誌刊行協会

• 趙 沛

  東大

• Katsumoto Shingo

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation

• 中村 壮智

  東京大学物性研究所

• 里見 槙平

  青山学院大学理工学専攻

• 櫻元 健志

  青山学院大学理工学専攻

• 小杉 直輝

  青山学院大学理工学専攻

• 趙 沛

  東京大学機械工学専攻

• 上條 潤一

  青山学院大理工

• 加藤 建彰

  青山学院大理工

• 遠藤 彰

  土浦協同病院外科

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 梶岡 利之

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• 小寺 克昌

  東大物性研

• 竹内 啓悟

  京大院情報

• 春山 純志

  青山学院大理工

• Endo A

  Tokyo Noko Univ. Tokyo Jpn

• 遠藤 彰

  (株)小堀鐸二研究所

• 小寺 克昌

  東京大学物性研究所

• Endo Akira

  Energy-efficient Chemical Systems Group Research Institute For Innovation In Sustainable Chemistry N

• 遠藤 彰

  室蘭工業大学大学院

• 梶岡 利之

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• Soerdal Vegard

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• Rao A.

  クレムソン大学

• 中村 悠紀

  青山学院大学理工学専攻

• Thurakitseree T.

  東京大学機械工学専攻

• 春山 純志

  青山学院大学理工学専攻

• 竹内 啓悟

  青山学院大学理工学専攻

• 小杉 直樹

  青山学院大学理工学専攻

• 橋本 泰樹

  青山学院大理工

• 橋本 大樹

  青山学院大理工

• Yan Z.

  Rice University

• Tour J.

  Rice University

• Soriano D.

  Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology

• Roche S.

  Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology

• 岸本 将広

  青山学院大理工

• 八木 優子

  青山学院大理工

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著作論文

• 24aYT-11 2次元正孔量子ホール系のν=1/3付近における異常(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 23aTH-4 電子濃度と変調振幅の独立制御が可能な一次元平面超格子における輸送現象
• 31aZK-7 一次元周期変調静電ポテンシャル下の輸送現象
• 26aHD-11 スピン軌道相互作用のある系における量子ポイントコンタクトのスピン偏極検出(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-5 1次元平面超格子の高周波伝導率に見られる整数充填率近傍の共鳴ピーク(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aCE-12 スピン軌道相互作用の強い量子ドット-アハロノフボームリング複合系の伝導(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFB-4 スピン軌動相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aEC-9 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pEC-5 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXQ-10 スピン軌道相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出II(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-12 強磁性グラフェンナノ細孔アレイで創製したTMR構造の物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDK-11 SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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