春山 純志 | 青学理工:jst-crest
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概要
関連著者
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春山 純志
青学理工:jst-crest
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春山 純志
青山学院大 大学院
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春山 純志
青山学院大学大学院理工学専攻機能物質創成コース
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春山 純志
青山学院大理工
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武末 出美
早大:jst-crest
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春山 純志
青学大理工
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青学理工
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青山学院大学理工学部
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青学理工
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篠原 久典
名大理
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菅井 俊樹
名大理
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森 久美子
青山学院電気電子
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加藤 周
青山学院電気電子
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菅井 俊樹
Nagoya University
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篠原 久典
名大院理
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高沢 一也
青山学院大学理工学部
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加藤 周
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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森 久美子
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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武末 出美
青学理工
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Rao A.
クレムソン大
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村田 尚義
青学大理工
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岡崎 俊也
名大院理
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宮臺 信一郎
青学理工
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長谷川 哲郎
青山学院大学電気電子工学科
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岡崎 俊也
産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター
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宮台 信一郎
Ntt物性基礎研:青学大理工
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丸山 茂夫
東京大学大学院工学系研究科
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篠原 久典
名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻
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家 泰弘
物性研
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原田 直樹
富士通(株):jst-crest
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小林 直樹
東大院理
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清水 台生
青学大理工
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粟野 祐二
富士通(株):jst-crest
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水林 潤
青学理工
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松平 将治
青学大理工
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八木 優子
JST-CREST
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神田 優子
青山学院大学理工学部
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中野 城太郎
青山学院電気電子
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篠原 久典
名古屋大 大学院理学研究科
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家泰 弘
東大物性研:crest Jst
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太田 径介
青山学院大学電気電子工学科
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嶋田 行志
名古屋大学工学研究科
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家 泰弘
東京大学物性研究所
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Reppert J.
クレムソン大
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粟野 祐二
富士通株式会社
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岡崎 俊也
名大理
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吉田 宏道
名大理
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嶋田 行志
名大理
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千足 昇平
東大工
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小林 直樹
青学理工
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篠原 久典
名古屋大
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武田 亜希
青学理工
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堀 七波
青学理工
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桐山 裕志
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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石田 伸哉
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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名古 昌浩
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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肱岡 健一郎
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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佐藤 友紀
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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藤田 晶子
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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上川 正太
青学理工
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佐藤 友紀
青山学院大学電気電子工学科
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Marcus C.
ハーバード大学物理
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橋本 義昭
東京大学物性研究所
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勝本 信吾
東京大学物性研究所
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家泰 弘
東大物性研
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中野 城太郎
青山学院大学 電気電子工学科
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千足 昇平
東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻
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趙 沛
東大
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藤田 晶子
青山学院大学電気電子工学科
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名古 昌浩
青山学院大学電気電子工学科
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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吉田 宏道
名古屋大学大学院理学研究科 高等研究院
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Xu J.M.
トロント大学
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中村 仁
電通大
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西尾 隆宏
理化学研究所
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長谷川 幸雄
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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西尾 隆弘
東大物性研
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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竹内 啓悟
京大院情報
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武末 出美
青学大理工
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狩野 秀文
青学大理工
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Einarsson Erik
東大理
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岸 直希
名大理
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村田 尚義
青学理工
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椎名 雄一郎
青学理工
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丸山 茂樹
東大工
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福田 茂伸
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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時田 淳
青学大理工
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野村 雅人
青学大理工
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宮台 信一郎
青山学院大学理工学部
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武田 亜希
青山学院大学理工学部
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堀 七波
青山学院大学理工学部
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杉山 直之
東レリサーチセンター
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小金井 亮次
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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中村 仁
青学大理工
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清水 台生
青学理工
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Marcano D.
Rice University
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Kosinkin D.
Rice University
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Tour James
Rice University
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丸山 茂夫
東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻
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楠本 裕亮
青山学院大学理工学部
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三留 雅幸
青山学院大学理工学部
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春山 純志
青山学院大学理工学部
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井出 光隆
青学理工
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杉山 直之
東レリサーチセンター:科学技術振興事業団、crest
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Li J
トロント大学
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Moskovits M.
トロント大学
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岸 直希
名大理:jst-crest
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中村 仁
電通大量子・物質工
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丸山 茂夫
東大工
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佐藤 大輔
東大院理
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岡崎 俊也
産総研ナノチューブ応用
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斎藤 晋
東工大理
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家 泰弘
東大物性研
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赤崎 達志
NTT基礎研
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是常 隆
東工大理
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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末永 和知
産総研ナノチューブ応セ
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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布施 智子
理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室
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石橋 幸治
理研
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高柳 英明
NTT基礎研究所
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石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
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鈴木 正樹
理化学研究所半導体工学研究室
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瀬谷 謙太
青学大理工
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岩原 正典
青学大理工
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佐野 浩孝
東大物性研
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粟野 祐二
慶大
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西尾 隆宏
東大物性研
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岡崎 俊也
産総研カーボンセンター
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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石橋 幸治
理化学研究所
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布施 智子
理研
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日沖 求
青学大理工
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渡辺 剛
青学大理工
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水林 潤
青学大理工
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平野 信治
青学理工
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鈴木 正樹
理研:科技団戦略
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丸山 茂夫
東大理
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上田 延輝
青学理工
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松平 将治
青学理工
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狩野 秀文
青学理工
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Einarsson E.
東大工
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武末 出美
早大
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野村 雅人
青学理工
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時田 淳
青学理工
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佐藤 大輔
青学理工
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武末 出美
NTT物性基礎研
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宮臺 信一郎
NTT物性基礎研
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小林 直樹
青学大理工
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宮台 信一郎
青学理工
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C M.Marcus
ハーバード大学物理
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高沢 一也
青学大
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桐山 裕志
青学大
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石田 伸哉
青学大
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Marcus C.
ハーバード大物理
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及川 進規
青学大理工
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榎本 翔太
青学大理工
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野澤 響子
青学理工
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岡崎 俊哉
産総研
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廣瀬 香里
産総研ナノチューブリサーチセンター
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渡辺 剛
阪大院基礎工
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伊藤 俊輔
青学大理工
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篠原 久典
名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院
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Souza M.
Jst:nagoya Univ.
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Davydov D.
トロント大学
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森田 幸介
青山学院電気電子
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春山 純志
青山学院電気電子
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高澤 一也
青山学院大学 電気電子工学科
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熊田 圭一郎
青山学院大学電気電子工学科
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河野 浩明
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家 泰弘
物理系学術誌刊行協会
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Takesue I..
Aoyama Gakuin University
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Rao A.M.
クレムソン大
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齊藤 允俊
青学理工
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井出 光隆
青学大理工
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佐野 博晃
青学大理工
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椎名 雄一郎
青学大理工
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末永 和知
産総研ナノチューブリサーチセンター
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Saito S
National Institute Of Industrial Health
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Xu J.m
化学科
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Routkevich D.
トロント大学
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Statt B.
トロント大学物学科
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ROUTKEVICHI D.
トロント大学
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福田 茂仲
青山学院大学電気電子工学科
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石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
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佐野 博晃
青学大理工:jst-crest
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上川 正太
青学大理工
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八木 優子
青学大理工
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多田 賢吾
青山学院大学理工学部
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原 哲文
青山学院大学理工学部
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上川 正太
青山学院大学理工学部
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Yang H.
SPINTECH・CEA/CNRS
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Chshiev M.
SPINTECH・CEA/CNRS
-
杉山 直之
Aoyama Gakuin University
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春山 純志
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
高沢 一也
青山学院大学理工学部電気電子工学科
著作論文
- 不均一な接合パラメータを持つ微小トンネル接合アレイでの自発分極波
- 29pYH-15 ボロンドープ単層ナノチューブFETの電気特性 : 超伝導との相関(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYE-1 グラフェン上への蜂の巣状ナノ細孔アレイ形成とエッジ状態の評価(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pXA-14 カーボンナノピーポットにおける異常なべき乗則と原子的振る舞い(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14aYD-1 ピーポットにおけるゲート電圧変調朝永・ラッティンジャー液体の可能性(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 23aXF-7 二層カーボンナノチューブの物性
- 24aRB-1 カーボンナノチューブにおける超伝導相と朝永・ラッティンジャー液体相の競合の観察(ナノチューブ(伝導・構造),領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRJ-4 超伝導多層カーボンナノチューブにおける磁化測定(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pYB-3 多孔質アルミナ膜一次元細孔を鋳型にしたナノチューブ生成と超伝導(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXA-15 完全終端した多層カーボンナノチューブにおける超伝導の発現(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pRH-3 ホウ素ドープカーボンナノチューブにおける超伝導(炭素系,及びその周辺小数キャリア系超伝導体の新展開,領域8,領域7合同シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pRH-3 ホウ素ドープカーボンナノチューブにおける超伝導(領域8,領域7合同シンポジウム:炭素系,及びその周辺少数キャリア系超伝導体の新展開,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 29pZP-4 二層カーボンナノチューブ量子ドットへの単一キャリア注入(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 29pZP-2 多層ナノチューブにおける近接場超伝導の構造依存性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 29pZP-1 NbN/多層カーボンナノチューブ接合におけるキャリア輸送特性 : 朝永-ラッティンジャー液体的振る舞いと超伝導の相関(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 23aXF-3 多層カーボンナノチューブにおける近接効果超伝導電流
- 多層カーボンナノチューブへのクーパー対注入 : 近接効果超伝導とその再帰コンダクタンス
- 直径・殻厚の大きい単層カーボンナノチューブアレイにおける超伝導近接効果
- 直径・殻厚の大きい単層カーボンナノチューブアレイにおける超伝導近接効果
- 19pTJ-3 微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(V) : 超伝導近接効果
- 19pTJ-2 微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(IV) : スピン散乱の低減
- 28aYX-11 微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性 (III)
- 多層カーボンナノチューブへの不純物拡散と位相反転 : スピン偏極注入
- 多層カーボナノチューブへの不純物拡散と位相反転 : スピン偏極注入
- 23aYF-10 微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(II)
- 微小多孔質アルミナ膜を用いた量子効果素子の検討
- 微小多孔質アルミナ膜を用いた量子効果素子の検討
- 23aWB-1 二層カーボンナノチューブの電荷輸送特性(ナノチューブ(伝導),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pRA-9 カーボンナノチューブの酸化開口で形成した超低欠陥グラフェンナノリボンにおけるバンドギャップの観察(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYH-14 ボロンドープ単層ナノチューブ薄膜の磁化特性 : マイスナー効果と圧力(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pWA-15 多孔質アルミナ膜に埋め込まれた強磁性量子細線 : 強磁性と弱局在の共存
- 28pYB-7 強磁性体細線アレイにおける磁気抵抗ジャンプ
- 強磁性体量子細線アレイにおける磁気抵抗の跳びと巨視的量子トンネリングの相関
- 強磁性体量子細線アレイにおける磁気抵抗の跳びと巨視的量子トンネリングの相関
- 22pYB-4 Ni量子細線アレイにおける磁気抵抗の跳び
- 23pE-12 微小多孔質アルミナ膜中の強磁性体細線アレイの磁気特性
- Y字型カーボンナノチューブの創製とその電子物性
- 多層カーボンナノチューブへのクーパー対注入 : 近接効果超伝導とその再帰コンダクタンス
- Y字型カーボンナノチューブの創製とその電子物性
- 23pTA-11 ボロンドープ単層ナノチューブ薄膜におけるマイスナー効果(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18aRJ-5 DNAとカーボンナノチューブの結合性と電気伝導性(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aYF-1 多層ナノチューブ中の朝永・ラッティンジャー液体によるクーパー対の分離(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pK-3 微小多孔質アルミナ膜中の量子細線アレイ間の電気伝導
- 24pK-4 微小多孔質アルミナ膜中の量子細線/単一トンネル接合アレイの電気伝導
- 25pF-1 微小多孔質アルミナ膜中に規則形成したカーボンバノチューブアレイの物性I
- 26aD-8 カーボンナノチューブに直結した単一微小トンネル接合の電気特性
- 5a-N-13 自己組織形成された多孔質アルミナ膜中のナノ接合アレイにおけるクーロンブロッケード
- 2p-G-6 多孔質アルミナ膜中Ni量子細線アレイにおける異常なコンダクタンスの量子化
- 不均一な接合パラメータを持つ微小トンネル接合アレイでの自発分極波
- 24aK-3 不均一微小トンネル接合アレイにおける自然分極波の伝播特性
- 31a-A-4 微小トンネル接合に直結されたNi量子細線中の電子-電子相互作用とCBの相関
- 27pTA-3 グラフェンのエッジ状態と電子物性 : ナノリボンとアンチドット格子(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTE-3 グラフェンエッジと電子物性 : ナノリボンとアンチドット格子(23pTE 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTE-7 水素終端した低欠陥グラフェンナノ細孔アレイにおける強磁性(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-9 カーボンナノチューブを開口・形成した細い低欠陥グラフェンナノリボンFETの電気特性(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aEC-9 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-4 低欠陥グラフェンナノメッシュのキャリアドープ細孔エッジと磁化特性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-5 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))