石橋 幸治 | 理化学研究所半導体工学研究室
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概要
関連著者
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石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
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石橋 幸治
理化学研究所
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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石橋 幸治
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石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
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理化学研究所
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理研:科技団戦略
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Souza M.
Jst:nagoya Univ.
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理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室
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理化学研究所半導体工学研究室
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理化学研究所半導体工学研究室
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石橋 幸治
理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室
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布施 智子
理研
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物材機構
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青柳 克信
理研
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森山 悟士
理研
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森山 悟士
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理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室
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塚本 竹雄
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室
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塚本 竹雄
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室:東京工業大学大学院総合理工学研究科
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東京理科大学理学部
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理化学研究所:東京理科大学理学部
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東京理科大学理学部
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森 貴洋
理化学研究所
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津谷 大樹
理化学研究所
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菅野 卓雄
東洋大学工学部
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東洋大工
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内田 勝美
東京理科大学
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千葉大工
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名大院理
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名古屋大学工学研究科
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理研
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篠原 久典
名大理
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平山 秀樹
理化学研究所
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住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
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中村 孝夫
住友電工半導体研究所
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石渡 洋一
佐賀大理工
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鈴木 正樹
東洋大学工学部
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石川 紫文
千葉大工
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榎本 亮介
千葉大工
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内野 雅史
千葉大工
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井田 徹哉
千葉大工
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慶大
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牧 英之
理研
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京野 孝史
住友電工, 半導体研究所
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秋田 勝史
住友電工, 半導体研究所
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中村 孝夫
住友電工, 半導体研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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京野 孝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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石橋 幸治
独立行政穂人理化学研究所
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塚越 一仁
産総研:crest(jst)
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豊川 聖子
理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室
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粟野 祐二
富士通(株):jst-crest
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水林 潤
青学理工
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武末 出美
青学理工
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春山 純志
青学理工
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岡崎 俊也
名大理
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菅井 俊樹
名大理
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吉田 宏道
名大理
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嶋田 行志
名大理
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石渡 洋一
理研
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岡崎 俊也
名大院理
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中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
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篠原 久典
名古屋大
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武末 出美
早大:jst-crest
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春山 純志
青学理工:jst-crest
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塚越 一仁
日立ケンブリッジ研究所
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Alphenaar B.W.
日立ケンブリッジ研究所
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石川 弦吾
千葉大工
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石渡 洋一
理化学研究所
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牧 英之
理化学研究所
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青柳 克彦
理研フロンティア
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岡崎 俊也
産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター
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新井 宏一郎
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吉田 宏道
名古屋大学大学院理学研究科 高等研究院
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菅井 俊樹
Nagoya University
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新井 宏一郎
理化学研究所
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石橋 幸治
理化学研究所:科技団戦略
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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中村 孝夫
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
著作論文
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ波応答
- 29pZP-4 二層カーボンナノチューブ量子ドットへの単一キャリア注入(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- 26aF-12 カーボンナノチューブに形成された量子ドットの電気伝導特性
- 25pF-9 多層カーボンナノチューブの高周波伝導特性
- カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- カーボンナノチューブを用いた磁気接合素子における巨大磁気抵抗効果
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 31a-ZB-5 連結型結合ドットの基礎物性
- 31a-ZB-5 連続型結合ドットの基礎物性
- 22aTH-13 アンチドットに束縛させたエッジ状態を利用した単電子輸送
- ナノ構造における電子輸送(サブゼミ誘電体,第39回 物性若手夏の学校,講義ノート)
- 半導体が波を感じるとき - 量子化素子とは何か -
- メゾスコピック構造の電気伝導