カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
一本の単層カーボンナノチューブの両端に金属電極をつけ単一量子ドットを作製した。液体ヘリウム温度で電気伝導特性を測定したところ、単一量子ドットの形成を示す周期的なクーロンダイアモンドを観測した。しかし、クーロンダイアモンドを詳しく観測すると、標準的な量子ドットの理論で説明されるような単一の周期ではなく、その大きさがゲート電圧によって2電子単位で変わる領域および4電子単位で変わる領域が観測された。これらは、量子準位の電子スピン縮退とナノチューブのバンド構造に特有の2重縮退の効果を考慮することにより理解できる。したがって、2電子周期の領域では、電子数が偶数のときはスピンゼロ(S=0)、奇数のときは単一電子スピン(S=1/2)が実現されている。このことは、希釈冷凍機温度でのクーロン振動の磁場依存性からも確認され、ゼーマン分裂から求まるg因子はほぼ2で、磁場依存性をほとんどもたないことがわかった。量子ドット中に単一電子スピンを生成できたことは、電子スピン共鳴技術を利用して単一スピンを量子的(コヒーレント)に制御できる可能性を示しており、将来のスピン量子ビットとしての応用が期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-22
著者
-
森山 悟士
物材機構
-
青柳 克信
理研
-
布施 智子
理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
理研フロンティア
-
青柳 克信
理化学研究所
-
石橋 幸治
理研
-
石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
-
鈴木 正樹
理化学研究所半導体工学研究室
-
石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
-
石橋 幸治
理化学研究所
-
森山 悟士
理研
-
布施 智子
理研
-
鈴木 正樹
理研:科技団戦略
-
森山 悟士
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室
-
Souza M.
Jst:nagoya Univ.
-
石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
関連論文
- グラフェンでつくる結合量子ドット素子
- 25pTF-6 (TMTSF)_2ClO_4の強磁場SDW状態での熱測定(TM系,領域7,分子性固体・有機導体)
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 29pZB-6 ナノギャップ電極上 C_ クラスター薄膜の伝導特性
- 30p-YP-10 波形制御パルス列レーザー生成Alプラズマ中の軟X線の往復増幅
- 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
- 14aYD-2 MWNT におけるキャリア注入による朝永・ラッティンジャー液体的振る舞いの消失(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 20aXF-13 多層カーボンナノチューブの層間電子輸送
- 28pPSA-20 電流注入効果による磁性細線内磁壁のドラッギング
- 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 波形制御パルス列レーザー生成A1プラズマ中の軟X線の往復増幅
- 26aXG-2 グラフェン結合量子ドットにおけるクーロンブロッケイド効果の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pYH-5 グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 27a-R-6 時間依存衝突輻射モデルによるリチウム様アルミニウム再結合レーザーの利得
- 30a-YB-5 パルス列レーザー生成プラズマによる軟X線レーザーの利得
- ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- 26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
- 31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
- 5a-E-3 GaN量子ドットの発光スペクトルの温度依存性
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- カーボンナノチューブ人工原子とテラヘルツ量子応答
- カーボンナノチューブ人工原子とそのテラヘルツ波応答
- 24aTH-7 カーボンナノチューブ量子ドットにおけるコトンネリング伝導(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
- 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
- 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
- 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
- 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
- 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
- 新たなブレークスルーには何が必要か
- 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
- 1a-N-7 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の強磁場依存性
- 28a-ZH-13 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の磁場依存性
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 29p-ZQ-12 AlGaN混晶における軟X線吸収の入射角依存性
- 29p-ZQ-11 III-V 族窒化物半導体における軟X線吸収の入射角依存性
- 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
- 29a-PS-55 Ni細線における磁化緩和
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
- 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
- 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
- 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
- 29pXB-9 カーボンナノチューブ量子ドットのスピン状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- カーボンナノチューブ量子ドット中の単一電子スピンの発生と操作
- 20pTH-11 ホール局在した n 型量子ドットアレーの近接場発光分光
- 31aYE-4 高分解能近接場光学顕微鏡による GaAs 量子ドットの励起子波動関数イメージング II
- 30pYH-12 ホールの局在した n 型量子ドットアレーの円偏向発光分光 II
- 28pTB-12 量子ドット正方格子の空間分解発光スペクトル
- 25pSB-13 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル II
- 24pL-9 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル
- 25pD-5 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルIII
- 31a-ZH-13 実時間実空間高次差分法を用いた非線形応答関数の計算II
- 30p-ZE-7 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルII
- 28p-YP-2 アモルファス中ナノ微結晶シリコンの紫外反射スペクトル
- 27p-YN-8 GaAs(3,1,1)B基板上InGaAs整列量子ドットの電場下PL測定
- 27p-YN-6 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトル
- 31a-YG-3 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算III
- 31a-YG-2 オーダーN・量子ダイナミクス法による微結晶の誘電関数の計算
- 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
- InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 26pTB-8 (TMTSF)_2ClO_4の強磁場SDW状態での短周期振動現象(26pTB 擬一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-6 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aSB-6 グラフェンナノ構造における磁場誘起量子閉じ込めと電子輸送特性(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))