カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
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概要
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量子ドットを用いた量子相関デバイスとして、量子ピット・量子ゲートデバイスの構成を提案する。それを実現するための具体的な材料系として、従来の半導体微細加工技術を用いたデバイスサイズでは、デバイスに要求されるクーロンブロッケード効果やゼロ次元離散準位の大きさから動作温度が極低温に限られる。また、量子コンピューティングデバイスには量子状態のコヒーレンスが要求される。これらの問題を解決するには、文字通り数ナノメートル数の量子ドットデバイスを形成する必要がある。本論文では、その一つの可能性としてカーボンナノチューブを用いた単一・2重結合量子ドットの形成とその特性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-08
著者
-
青柳 克信
理研
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
理化学研究所
-
石橋 幸治
理研
-
井田 徹哉
理化学研究所半導体工学研究室
-
石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
-
鈴木 正樹
理化学研究所半導体工学研究室
-
石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
-
石橋 幸治
理化学研究所
-
鈴木 正樹
理研:科技団戦略
-
Souza M.
Jst:nagoya Univ.
-
石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
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