新井 宏一郎 | Crest-jst:erato-jst
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概要
関連著者
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新井 宏一郎
Crest-jst:erato-jst
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音 賢一
阪大院理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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邑瀬 和生
大阪教養
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邑瀬 和生
阪大院理
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新井 宏一郎
阪大院理
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Kazuo Murase
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
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Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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MURASE Kazuo
Department of Physics, Osaka University
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久津輪 武史
CREST-JST
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枝松 圭一
東北大通研
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音 賢一
千葉大理
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小坂 英男
東北大通研
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大野 圭司
理研
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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三森 康義
東北大通研
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邑瀬 和生
大阪大学大学院理学研究科
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邑瀬 和生
阪大・理
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Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
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Murase Kazuo
Department Of Physics Osaka University
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金城 英人
東北大通研
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執行 英樹
東北大通研
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松林 知也
阪大院理
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新井 宏一郎
CREST-JST
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Murase Kazuo
Department Of Applied Physics Osaka City University
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新井 宏一郎
ERATO-JST
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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下村 哲
阪大院基礎工
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冷水 佐壽
阪大院基礎工
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音 賢一
阪大院・理
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宇野 重康
阪大院・理
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鷹岡 貞夫
阪大院・理
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邑瀬 和生
阪大院・理
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今村 裕志
産総研ナノテク
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今村 裕志
産業技術総合研究所
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力武 克彰
仙台高専
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枝松 圭一
東北大学通研
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小宮山 進
東大総合文化
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小宮山 進
東京大学総合文化研究科
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石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
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石橋 幸治
理化学研究所
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上野 若菜
東北大通研
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小坂 英男
CREST-JST
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三森 康義
CREST-JST
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小坂 英男
東北大学通研
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Astafiev Oleg
東大総合文化:nec基礎研
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久津輪 武史
GREST-JST
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新井 宏一郎
GREST-JST
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今村 裕志
GREST-JST
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力武 克彰
GREST-JST
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高河原 俊秀
GREST-JST
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上野 若菜
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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谷本 真士
阪大院理
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上野 若菜
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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力武 克彰
仙台電波高専:crest-jst
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高河原 俊秀
京都工芸繊維大学大学院電子システム工学専攻
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新井 宏一朗
阪大院・理
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新井 宏一郎
阪大院・理
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大野 圭司
CREST-JST
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金城 英人
東北大学通研
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米澤 元
東北大通研
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新井 宏一郎
理化学研究所
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石橋 幸治
理化学研究所:科技団戦略
著作論文
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 19aTA-9 単一量子ドットによる単一光子から単一電子への変換と非破壊検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXJ-5 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子構造における負の偏極(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
- 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
- 27aXC-8 光子スピン量子状態転写のためのGaAs系量子トラスポート素子の単一光子応答(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
- 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
- 25pPSA-14 光子スピン量子状態転写のための単一量子ドットによる単一光子応答(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-13 光子スピン量子状態転写のための量子トランスポート測定によるGaAs系量子構造のg因子推定II(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXC-10 光子スピン量子状態転写のための量子トランスポート測定によるGaAs系量子構造のg因子推定(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXC-11 光子スピン量子状態転写のための量子光学測定によるGaAs系量子構造のg因子測定(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTH-13 アンチドットに束縛させたエッジ状態を利用した単電子輸送
- 24pD-6 エッジチャネル間の電気容量測定と問題点
- 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
- 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
- 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
- 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量