肱岡 健一郎 | Necエレクトロニクス
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
-
肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
-
田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
-
田辺 昭
Necエレクトロニクス
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
春山 純志
青山学院大理工
-
肱岡 健一郎
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
佐藤 友紀
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
春山 純志
青学理工:jst-crest
-
川原 潤
Necエレクトロニクス
-
佐藤 友紀
青山学院大学電気電子工学科
-
田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
春山 純志
青山学院大学大学院理工学専攻機能物質創成コース
-
久米 一平
Necエレクトロニクス
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
春山 純志
青山学院大 大学院
-
久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
-
伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
NECシステムデバイス研究所
-
阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
-
大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
-
田上 政由
NECシステムデバイス研究所
-
肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
泊 史朗
日本電気株式会社
-
山口 博史
日本電気株式会社
-
岡本 稔
Necエンジニアリング(株)
-
大平 理覚
Necシステム実装研究所
-
斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
藤田 定男
日本電気株式会社第一伝送通信事業部
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
大竹 浩人
東北大
-
藤田 定男
NECシステムプラットフォーム研究所
-
野田 有秀
NECシステムプラットフォーム研究所
-
武末 出美
早大:jst-crest
-
武末 出美
青山学院大学理工学部
-
名古 昌浩
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
加藤 周
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
森 久美子
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
藤田 晶子
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
小金井 亮次
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
-
山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
藤田 定男
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
-
山瀬 知行
日本電気株式会社
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
帰山 隼一
日本電気株式会社
-
野口 栄実
日本電気株式会社
-
山崎 仁
日本電気株式会社
-
細谷 健一
日本電気株式会社
-
正田 裕明
日本電気株式会社
-
池田 博伸
日本電気株式会社
-
高橋 次男
日本電気株式会社
-
大平 理覚
日本電気株式会社
-
野田 有秀
日本電気株式会社
-
川原 信広
日本電気株式会社
-
大平 理覚
NEC光デバイス事業部
-
森 久美子
青山学院電気電子
-
加藤 周
青山学院電気電子
-
藤田 晶子
青山学院大学電気電子工学科
-
名古 昌浩
青山学院大学電気電子工学科
-
古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス(株)
-
野口 栄実
NECシステムIPコア研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
-
細谷 健一
Nec システムプラットフォーム研
-
田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
-
成広 充
NECシステムデバイス研究所
-
井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
-
竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
-
古武 直也
NECシステムデバイス研究所
-
小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
-
泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
-
新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
-
田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
-
吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
-
新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
-
藤井 清
NECELプロセス技術事業部
-
池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
-
小倉 卓
(株)genusion
-
風間 賢也
NECマイクロコンピュータ事業部
-
本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
有田 幸司
Necエレクトロニクス
-
本山 幸一
Necエレクトロニクス
-
深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
池田 昌弘
Necエレクトロニクス
-
北尾 良平
NECエレクトロニクス
-
田村 貴央
Necel
-
藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
深井 利憲
Necエレクトロニクス
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
佐甲 隆
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
太田 径介
青山学院大学電気電子工学科
-
武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
-
高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
-
古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
肱岡 健一郎
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
白井 浩樹
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
風間 賢也
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
桑原 愼一
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
渡會 雅敏
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
佐甲 隆
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
小倉 卓
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
坂本 美里
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
- 微小多孔質アルミナ膜を用いた量子効果素子の検討
- 微小多孔質アルミナ膜を用いた量子効果素子の検討
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 24pK-4 微小多孔質アルミナ膜中の量子細線/単一トンネル接合アレイの電気伝導
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス (シリコン材料・デバイス)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)